[發明專利]高分辨率全彩化MicroLED顯示器

在審

• 申請號: 202010635232.X
• 申請日: 2020-07-04
• 公開（公告）號: CN111725251A
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發明（設計）人: 郭偉杰
• 申請（專利權）人: 廈門友來微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/48;H01L33/50;H01L33/60;H01L33/62
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種高分辨率全彩化MicroLED顯示器，設置有驅動基板、MicroLED陣列模塊，驅動基板上的表面設置有第一焊盤與第二焊盤，MicroLED陣列模塊設置有MicroLED發光芯片與虛設芯片，MicroLED發光芯片的下表面設置有第一電極，所述虛設芯片的下表面設置有第二電極，MicroLED陣列模塊的下表面與驅動基板的上表面面對面地進行焊接，使得第一電極與第一焊盤焊接在一起，第二電極與第二焊盤焊接在一起，其特征在于，所述MicroLED發光芯片與虛設芯片均設置有第一半導體層、絕緣層，絕緣層包覆MicroLED發光芯片的側壁、虛設芯片的側壁，所述第一半導體層設置有梯形部和臺階部，臺階部位于梯形部的上側，所述臺階部之間設置有第一間隔槽，MicroLED發光芯片的第一半導體層臺階部與相鄰的虛設芯片的第一半導體層臺階部之間設置有第二間隔槽，所述第一半導體層臺階部緊鄰第一間隔槽的下表面未被絕緣層覆蓋，所述第一半導體層臺階部緊鄰第二間隔槽的下表面未被絕緣層覆蓋，所述第一半導體層臺階部的側面均未被絕緣層覆蓋，所述第一間隔槽內、第二間隔槽內以及第一半導體層臺階部未被絕緣層覆蓋的下表面均設置有金屬線路，所述虛設芯片的側壁設置有側邊連接線路，將第二間隔槽內的金屬線路與位于虛設芯片下表面的第二電極連接在一起，使得第二電極與所述金屬線路之間電導通。

2.根據權利要求1所述的一種高分辨率全彩化MicroLED顯示器，其特征在于，若干個所述MicroLED發光芯片按照固定的行列間距排布成陣列，所述虛設芯片位于MicroLED發光芯片陣列的外圍，所述驅動基板設置有若干個驅動單元，每個驅動單元均能單獨地控制一顆MicroLED發光芯片的供電，從而控制該MicroLED發光芯片的發光，所述每個驅動單元設置有一個第一焊盤，所述第一焊盤設置于所述驅動基板上表面，且若干個第一焊盤按照固定的行列間距排布成陣列，所述第二焊盤設置于所述第一焊盤的外圍區域，所述第一焊盤陣列的行間距、列間距與所述MicroLED發光芯片陣列的行間距、列間距分別相等，從而使得所述第一電極與第一焊盤一一對應。

3.根據權利要求1所述的一種高分辨率全彩化MicroLED顯示器，其特征在于，所述MicroLED發光芯片均設置有第一半導體層、多量子阱發光層、第二半導體層、電流擴散層、絕緣層，且第一半導體層、多量子阱發光層、第二半導體層、電流擴散層從上向下依次疊層設置，單顆MicroLED發光芯片的絕緣層連為一體，所述MicroLED發光芯片的絕緣層包含第一側壁絕緣層和第一底部絕緣層，所述MicroLED發光芯片的多量子阱發光層側壁、第二半導體層側壁、第一半導體層梯形部側壁、電流擴散層側壁均被第一側壁絕緣層覆蓋，所述MicroLED發光芯片電流擴散層下表面被第一底部絕緣層覆蓋，所述MicroLED發光芯片的第一底部絕緣層還設置有第一過孔，所述第一電極設置于所述第一過孔內，且所述第一電極的厚度大于所述第一底部絕緣層的厚度，使得所述第一電極凸出于所述第一底部絕緣層的下表面，所述第一電極的上表面與所述電流擴散層下表面之間為歐姆接觸，從而所述第一電極與所述MicroLED發光芯片電流擴散層之間電導通，所述第一電極的寬度小于所述MicroLED發光芯片電流擴散層的寬度。

4.根據權利要求1所述的一種高分辨率全彩化MicroLED顯示器，其特征在于，所述虛設芯片均設置有第一半導體層、多量子阱發光層、第二半導體層、電流擴散層、絕緣層，且第一半導體層、多量子阱發光層、第二半導體層、電流擴散層從上向下依次疊層設置，單個虛設芯片的絕緣層連為一體，所述虛設芯片的絕緣層包含第二側壁絕緣層和第二底部絕緣層，所述虛設芯片的多量子阱發光層側壁、第二半導體層側壁、第一半導體層梯形部側壁、電流擴散層側壁均被第二側壁絕緣層覆蓋，所述MicroLED發光芯片電流擴散層下表面被第二底部絕緣層覆蓋，所述虛設芯片的第二底部絕緣層沒有設置過孔，第二電極設置于所述虛設芯片的第二底部絕緣層的下表面，第二電極與所述虛設芯片電流擴散層之間被第二底部絕緣層隔絕。