[發(fā)明專利]化合物、有機發(fā)光二極管、顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010635027.3 | 申請日: | 2020-07-03 |
| 公開(公告)號: | CN111718335B | 公開(公告)日: | 2022-11-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 高榮榮;賈聰聰;馬坤;張東旭 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | C07D405/04 | 分類號: | C07D405/04;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 顧麗波;姜春咸 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 化合物 有機 發(fā)光二極管 顯示裝置 | ||
1.一種用于制作電子傳輸層的化合物,其特征在于,所述化合物具有如下分子式(1):
其中,X和Y各自獨立地選自O(shè)、S、NR中的任意一者;
R1至R8中的至少兩者具有基團(2)、基團(3)、基團(4)中的任意一者和基團(5):
R1至R8中的其余幾者各自獨立地選自包括以下成員的組:氫、氘、鹵素、氰基、硝基、C1~C40的烷基、C2~C40的烯基、C2~C40的炔基、C3~C40的環(huán)烷基、C3-40的雜環(huán)烷基、C6~C60的芳基、C5-60的雜芳基、C1~C40的烷氧基、C6~C60的芳氧基、C3~C40的烷基甲硅烷基、C6~C60的芳基甲硅烷基、C1~C40的烷基硼基、C6~C60的芳基硼基、C6~C60的芳基亞膦基、C6~C60的單或二芳基膦基及C6~C60的芳基胺基組成的組;或者R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8中的其余幾者能夠與相鄰的基團結(jié)合而形成縮合環(huán);
X1、X2、X3各自獨立地選自C或N,并且X1、X2、X3三者含有2個N;
AR1和AR2各自獨立地選自具有5至30個芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)體系官能團;或者,AR1和AR2各自獨立地選自以下基團:B(R3)、C(R3)2、Si(R3)2、C=O、C=NR3、C=C(R3)2、O、S、S=O、SO2、-N(R3)、P(R3)和P(=O)R3;
A選自C、Si、Ge中的一者;
B選自單鍵、O、S、NR中的一者;
在NR中,R選自氫、氘、鹵素、氰基、硝基、C1~C40的烷基、C2~C40的烯基、C2~C40的炔基、C3~C40的環(huán)烷基、C3-40的雜環(huán)烷基、C6~C60的芳基、C5-60的雜芳基、C1~C40的烷氧基、C6~C60的芳氧基、C3~C40的烷基甲硅烷基、C6~C60的芳基甲硅烷基、C1~C40的烷基硼基、C6~C60的芳基硼基、C6~C60的芳基亞膦基、C6~C60的單或二芳基膦基及C6~C60的芳基胺基組成的組;
n為0或1;
Ar3至Ar6在基團(5)中的取代情況與Ar1和Ar2在基團(2)至基團(4)中的任意一者的取代情況相同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物,其特征在于,所述材料的分子式選自以下分子式中的一者或幾者:
3.一種有機發(fā)光二極管,所述有機發(fā)光二極管包括依次設(shè)置的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層和陰極,其特征在于,所述電子傳輸層的材料為權(quán)利要求1或2所述的化合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機發(fā)光二極管,其特征在于,所述空穴注入層的材料選自三氧化鉬、F4-TCNQ、HAT-CN中的任意一者;
所述空穴傳輸層的材料選自NPB、m-MTDATA、TPD中的任意一者;
電子阻擋層的材料為mCBP或Tris-PCz;
所述發(fā)光層中主體的材料為AND;
所述發(fā)光層中摻雜物的材料為Dpvbi;
所述空穴阻擋層的材料為BCP或Bphen;
所述電子注入層的材料選自LiF、Yb、LIQ中的任意一者。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機發(fā)光二極管,其特征在于,所述陽極的材料為透明電極材料,所述陰極的材料為銀。
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