[發明專利]一種分層錯位式三相盤式電機線圈封裝結構

在審

• 申請號: 202010634801.9
• 申請日: 2020-07-03
• 公開（公告）號: CN111740523A
• 公開（公告）日: 2020-10-02
• 發明（設計）人: 吳紹松;吳昊儒;楊永恒;王濟全;吳宇森
• 申請（專利權）人: 煙臺伺維特智能科技有限公司
• 主分類號: H02K3/04
• 分類號: H02K3/04;H02K3/28
• 代理公司: 北京中創博騰知識產權代理事務所(普通合伙) 11636
• 代理人: 戎德偉

1.一種分層錯位式三相盤式電機線圈封裝結構，其特征在于，包括A相線圈組件、B相線圈組件和C相線圈組件；所述A相線圈組件包括A相外圈單元盤、A相內圈單元盤和A相線匝單元條；所述B相線圈組件包括B相外圈單元盤、B相內圈單元盤和B相線匝單元條；所述C相線圈組件包括C相外圈單元盤、C相內圈單元盤和C相線匝單元條；

所述A相線圈組件、B相線圈組件和C相線圈組件疊合后，A相線匝單元條、B相線匝單元條和C相線匝單元條之間互相間隔并排列為單元條圓環；所述A相外圈單元盤、B相外圈單元盤和C相外圈單元盤包圍在所述單元條圓環的外圍，所述A相內圈單元盤、B相內圈單元盤和C相內圈單元盤包圍在所述單元條圓環的內圍；

所述A相線匝單元條的外側端部連接有A相外圈立柱，A相線匝單元條的內側端部連接有A相內圈立柱；所述A相線匝單元條的外端通過所述A相外圈立柱與A相外圈單元盤導通，所述A相線匝單元條的內端通過所述A相內圈立柱與A相內圈單元盤導通，導通后的所述A相線匝單元條、A相外圈單元盤和A相內圈單元盤形成環狀的A相線圈；

所述B相線匝單元條的外側端部連接有B相外圈立柱，B相線匝單元條的內側端部連接有B相內圈立柱；所述B相線匝單元條的外端通過所述B相外圈立柱與B相外圈單元盤導通，所述B相線匝單元條的內端通過所述B相內圈立柱與B相內圈單元盤導通，導通后的所述B相線匝單元條、B相外圈單元盤和B相內圈單元盤形成環狀的B相線圈；

所述C相線匝單元條的外側端部連接有C相外圈立柱，C相線匝單元條的內側端部連接有C相內圈立柱；所述C相線匝單元條的外端通過所述C相外圈立柱與C相外圈單元盤導通，所述C相線匝單元條的內端通過所述C相內圈立柱與C相內圈單元盤導通，導通后的所述C相線匝單元條、C相外圈單元盤和C相內圈單元盤形成環狀的C相線圈。

2.根據權利要求1所述的一種分層錯位式三相盤式電機線圈封裝結構，其特征在于，所述A相外圈單元盤包括A相上層外圈單元盤和A相下層外圈單元盤，所述A相上層外圈單元盤和A相下層外圈單元盤錯位排開，A相下層外圈單元盤根據所述A相線圈的匝數進行分割；

所述B相外圈單元盤包括B相上層外圈單元盤和B相下層外圈單元盤，所述B相上層外圈單元盤和B相下層外圈單元盤錯位排開，B相下層外圈單元盤根據所述B相線圈的匝數進行分割；

所述C相外圈單元盤包括C相上層外圈單元盤和C相下層外圈單元盤，所述C相上層外圈單元盤和C相下層外圈單元盤錯位排開，C相下層外圈單元盤根據所述C相線圈的匝數進行分割。

3.根據權利要求1所述的一種分層錯位式三相盤式電機線圈封裝結構，其特征在于，所述A相內圈單元盤包括A相上層內圈單元盤和A相下層內圈單元盤，所述A相上層內圈單元盤和A相下層內圈單元盤上下對齊排列，A相下層內圈單元盤根據所述A相線圈的匝數進行分割；

所述B相內圈單元盤包括B相上層內圈單元盤和B相下層內圈單元盤，所述B相上層內圈單元盤和B相下層內圈單元盤上下對齊排列，B相下層內圈單元盤根據所述B相線圈的匝數進行分割；

所述C相內圈單元盤包括C相上層內圈單元盤和C相下層內圈單元盤，所述C相上層內圈單元盤和C相下層內圈單元盤上下對齊排列，C相下層內圈單元盤根據所述C相線圈的匝數進行分割。

4.根據權利要求1所述的一種分層錯位式三相盤式電機線圈封裝結構，其特征在于，所述A相外圈單元盤的端部向所述單元條圓環側凸起，A相外圈單元盤的凸起位置連接所述A相外圈立柱；A相外圈單元盤的凸起位置之間形成有A相外避讓缺口；

所述B相外圈單元盤的端部向所述單元條圓環側凸起，B相外圈單元盤的凸起位置連接所述B相外圈立柱；B相外圈單元盤的凸起位置之間形成有B相外避讓缺口；

所述C相外圈單元盤的端部向所述單元條圓環側凸起，C相外圈單元盤的凸起位置連接所述C相外圈立柱；C相外圈單元盤的凸起位置之間形成有C相外避讓缺口。