[發明專利]光柵深刻蝕的方法在審
| 申請號： | 202010634034.1 | 申請日： | 2020-07-02 |
| 公開（公告）號： | CN111916330A | 公開（公告）日： | 2020-11-10 |
| 發明（設計）人： | 王勇祿;晉云霞;曹紅超;孔釩宇;張益彬;邵建達 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海光學精密機械研究所 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32;G02B27/44 |
| 代理公司： | 上海恒慧知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人： | 張寧展 |
| 地址： | 201800 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光柵 深刻 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種光柵深刻蝕的方法，該方法包括下列步驟：
1)光柵金屬掩膜結構制備：首先在基板表面磁控濺射鍍制鉻膜，該膜層厚度為100nm-150nm；
2)在所述的金屬鉻膜的表面甩膠，接著用雙光束紫外光干涉曝光、顯影，得到金屬-光刻膠復合光柵掩膜；
3)反應離子束刻蝕與清洗：所述的反應離子束刻蝕時，離子能量500eV，離子束流200mA，加速電壓300V；調節刻蝕氣體(氬氣、三氟甲烷、氧氣)配比得到最優刻蝕參數(Ar：5-10sccm，CHF3：40-70sccm，O2：5-15sccm)，利用反應離子束刻蝕機，對所述的復合光柵掩膜進行反應離子束刻蝕，對刻蝕后的復合光柵掩膜使用去鉻液去除殘留；
4)對刻蝕后的復合光柵的刻蝕深度進行測量，當刻蝕深度未達到設計值時，在光柵脊的兩側傾斜鍍制金屬膜，兩次鍍制，單次鍍制厚度80nm～120nm，傾斜角度45°～60°；并返回步驟3)；當刻蝕深度達到設計值時，進入下一步；
5)完成光柵深刻蝕。
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