[發明專利]多芯光纖在審
| 申請號: | 202010633691.4 | 申請日: | 2020-07-02 |
| 公開(公告)號: | CN112180498A | 公開(公告)日: | 2021-01-05 |
| 發明(設計)人: | 林哲也 | 申請(專利權)人: | 住友電氣工業株式會社 |
| 主分類號: | G02B6/02 | 分類號: | G02B6/02;G02B6/036 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 顧紅霞;張蕓 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光纖 | ||
1.一種多芯光纖,包括:
多個芯部部分,其沿中心軸線延伸,所述多個芯部部分中的每個芯部部分包括沿所述中心軸線延伸的芯部、包圍所述芯部的外周的內包層、以及包圍所述內包層的外周面的溝槽層;
共同包層,其包圍所述多個芯部部分中的每個芯部部分的所述溝槽層的外周面并具有124μm以上且181μm以下的外徑;以及
樹脂涂層,其在包圍所述共同包層的外周面的同時具有195μm以上且250μm以下的外徑;
其中,所述多芯光纖包括由至少四個芯部部分構成的線性陣列組,所述四個芯部部分中的每個芯部部分具有位于在所述多芯光纖的橫截面上限定的直線上的芯部中心,所述橫截面正交于所述中心軸線,
構成所述線性陣列組的所述四個芯部部分中的每個芯部部分具有如下折射率分布:在所述折射率分布中,至少所述芯部和所述內包層之間的相對折射率差等于其它芯部部分的所述芯部和所述內包層之間的相對折射率差,并且
所述四個芯部部分包括彼此相鄰的且各個芯部中心之間具有以μm為單位的間隔Λ的第一芯部部分和第二芯部部分,所述第一芯部部分和所述第二芯部部分的相對于所述共同包層的折射率而言的相對折射率差相差以%為單位的0.001Λ以上。
2.根據權利要求1所述的多芯光纖,
其中,所述四個芯部部分中的每個芯部部分在1310nm的波長處具有8.0μm以上且10.1μm以下的模場直徑,具有1260nm以下的光纜截止波長,并且在1260nm以上且1360nm以下的波長帶中具有0.5dB/km以下的傳輸損耗,
所述四個芯部部分的零色散波長之中的最大零色散波長與最小零色散波長之間的差為24nm以下,并且
在所述多芯光纖以7cm以上且14cm以下的彎曲半徑或14cm以上且20cm以下的彎曲半徑彎曲的狀態下,所述第一芯部部分的所述芯部與所述第二芯部部分的所述芯部之間的串擾為0.01/km以下。
3.根據權利要求1或2所述的多芯光纖,
其中,所述第一芯部部分和所述第二芯部部分滿足以下關系:
Δco,1Δic,1Δt,1
Δco,2Δic,2Δt,2
0.32%≤Δco,1-Δic,1≤0.40%
0.32%≤Δco,2-Δic,2≤0.40%
Δt,1≤0%
Δt,20%
Δic,1≤0.10%
-0.10%≤Δic,2,
作為所述第一芯部部分的結構參數,以%為單位的Δco,1被定義為所述芯部相對于所述共同包層的所述折射率而言的相對折射率差,以%為單位的Δic,1被定義為所述內包層相對于所述共同包層的所述折射率而言的相對折射率差,并且以%為單位的Δt,1被定義為所述溝槽層相對于所述共同包層的所述折射率而言的相對折射率差,并且
作為所述第二芯部部分的結構參數,以%為單位的Δco,2被定義為所述芯部相對于所述共同包層的所述折射率而言的相對折射率差,以%為單位的Δic,2被定義為所述內包層相對于所述共同包層的所述折射率而言的相對折射率差,并且以%為單位的Δt,2被定義為所述溝槽層相對于所述共同包層的所述折射率而言的相對折射率差。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于住友電氣工業株式會社,未經住友電氣工業株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010633691.4/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:超低溫儲存罐的隔熱結構
- 下一篇:高精度鍵合頭定位方法及設備





