[發明專利]OLED顯示面板及其制備方法

在審

• 申請號: 202010633338.6
• 申請日: 2020-07-02
• 公開（公告）號: CN111668242A
• 公開（公告）日: 2020-09-15
• 發明（設計）人: 周星宇
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 高楊麗

1.一種OLED顯示面板，其特征在于，包括：

襯底；

透明導電層，形成在所述襯底一側，圖案化形成導電電極、以及透明電容的第一極板；

緩沖層，形成在所述透明導電層遠離所述襯底的一側；

金屬氧化物半導體層，形成在所述緩沖層遠離所述透明導電層的一側，圖案化形成薄膜晶體管的有源層、以及所述透明電容的第二極板；

柵極絕緣層，形成在所述有源層遠離所述緩沖層的一側；

柵極層，形成在所述柵極絕緣層遠離所述有源層的一側，圖案化形成所述薄膜晶體管的柵極；

層間絕緣層，形成在所述柵極層遠離所述柵極絕緣層的一側；

源漏極層，形成在所述層間絕緣層遠離所述柵極層的一側，圖案化形成所述薄膜晶體管的源極和漏極，所述漏極與所述有源層的漏區連接，所述源極與所述有源層的源區和所述導電電極連接；

OLED器件層，形成在所述源漏極層遠離所述層間絕緣層的一側，所述OLED器件層的發光方向朝向所述襯底。

2.如權利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述透明導電層的材料包括銦錫氧化物和銦鋅氧化物中的至少一種。

3.如權利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述金屬氧化物半導體層的材料包括銦鎵鋅氧化物、銦錫鋅氧化物和銦鎵鋅鈦氧化物中的至少一種。

4.如權利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述有源層在所述襯底的投影位于所述導電電極在所述襯底的投影范圍內。

5.如權利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述OLED器件層包括像素定義層和像素電極，所述像素定義層定義出多個發光區，所述像素電極位于所述發光區內，且與所述薄膜晶體管的源極連接，所述透明電容的第一極板和第二極板均對應所述發光區設置。

6.如權利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述透明導電層的厚度為200至2000埃米。

7.如權利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述金屬氧化物半導體層的厚度為100至1000埃米。

8.一種OLED顯示面板的制備方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底一側依次制備透明導電層和緩沖層，將所述透明導電層圖案化形成導電電極、以及透明電容的第一極板；

在所述緩沖層遠離所述透明導電層的一側制備金屬氧化物半導體層，并圖案化形成薄膜晶體管的有源層、以及所述透明電容的第二極板；

在所述有源層遠離所述緩沖層的一側依次制備柵極絕緣層、柵極層和層間絕緣層，所述柵極層圖案化形成所述薄膜晶體管的柵極；

在所述層間絕緣層遠離所述有源層的一側制備源漏極層，所述源漏極層圖案化形成所述薄膜晶體管的源極和漏極，所述漏極與所述有源層的漏區連接，所述源極與所述有源層的源區和所述導電電極連接；

在所述源漏極層上制備OLED器件層，所述OLED器件層的發光方向朝向所述襯底。

9.如權利要求8所述的OLED顯示面板的制備方法，其特征在于，所述在所述襯底一側依次制備透明導電層和緩沖層的步驟，包括：在所述襯底一側制備透明導電層，所述透明導電層材料包括銦錫氧化物和銦鋅氧化物中的至少一種。

10.如權利要求8所述的OLED顯示面板的制備方法，其特征在于，所述在所述緩沖層遠離所述透明導電層的一側制備金屬氧化物半導體層的步驟，包括：在所述緩沖層遠離所述透明導電層的一側制備金屬氧化物半導體層，所述金屬氧化物半導體層的材料包括銦鎵鋅氧化物、銦錫鋅氧化物和銦鎵鋅鈦氧化物中的至少一種。