[發明專利]一種用于改良逾滲系統的納米橋的制備方法及其應用在審
| 申請號： | 202010632465.4 | 申請日： | 2020-07-03 |
| 公開（公告）號： | CN111807317A | 公開（公告）日： | 2020-10-23 |
| 發明（設計）人： | 埃澤爾·馬丁·阿金諾古;薛亞飛;羅凌鵬;金名亮;周國富;邁克爾·諾頓;克日什托夫·坎帕;邁克爾·吉爾森 | 申請（專利權）人： | 肇慶市華師大光電產業研究院 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 廣州正明知識產權代理事務所(普通合伙) 44572 | 代理人： | 張麗 |
| 地址： | 526000 廣東省肇慶市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 改良 系統 納米 制備 方法 及其 應用 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于改良逾滲系統的納米橋的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、在基底上沉積六邊形的聚苯乙烯微球單層膜，所述聚苯乙烯微球的直徑為100nm～10μm；
S2、在S1的聚苯乙烯微球單層膜上旋涂苯乙烯-乙醇溶液，并進行等離子刻蝕；
S3、通過電子束蒸鍍在經過等離子刻蝕后的結構上蒸鍍10～100nm的金，即得納米橋。
2.根據權利要求1所述的用于改良逾滲系統的納米橋的制備方法，其特征在于，步驟S2所述苯乙烯的濃度為1～20％，旋涂的速度為1000～4000rpm。
3.根據權利要求1所述的用于改良逾滲系統的納米橋的制備方法，其特征在于，步驟S2等離子刻蝕的條件為：刻蝕的氧分壓為10～95％，載氣為Ar或N2，功率為20～150w，反應壓強為0.1～10mbar之間，刻蝕時間為20s～500s。
4.根據權利要求1所述的用于改良逾滲系統的納米橋的制備方法，其特征在于，步驟S3蒸鍍沉積速率為0.2～6A/s。
5.一種傳感器，其特征在于，包含權利要求1至4任一項所述方法得到的納米橋。
6.權利要求1至4任一項所述方法得到的納米橋在制備傳感器的應用。
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