[發明專利]半導體結構及其制造方法在審
| 申請號： | 202010632165.6 | 申請日： | 2020-07-03 |
| 公開（公告）號： | CN112310000A | 公開（公告）日： | 2021-02-02 |
| 發明（設計）人： | 呂文隆 | 申請（專利權）人： | 日月光半導體制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31;H01L21/56;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 蕭輔寬 |
| 地址： | 中國臺灣高雄市楠梓*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 結構 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導體結構，其包括：
第一半導體元件，其具有第一元件頂表面和與所述第一元件頂表面相反的第一元件底表面；以及
第一結合結構，安置相鄰于所述第一半導體元件的所述第一元件頂表面，所述第一結合結構包括：
第一電連接器；
第一絕緣層，圍繞所述第一電連接器；以及
第一金屬層，圍繞所述第一絕緣層。
2.根據權利要求1所述的半導體結構，其進一步包括第一保護層，所述第一保護層安置相鄰于所述第一半導體元件的所述第一元件頂表面，其中所述第一保護層界定容納所述第一結合結構的第一開口。
3.根據權利要求2所述的半導體結構，其進一步包括第二絕緣層，安置在所述第一保護層上，其中所述第二絕緣層界定容納所述第一結合結構的第二開口。
4.根據權利要求3所述的半導體結構，其中所述第二絕緣層具有第二絕緣頂表面和第二絕緣底表面，且所述第一絕緣層具有第一絕緣頂表面和第一絕緣底表面，其中所述第二絕緣層的所述第二絕緣頂表面與所述第一絕緣層的所述第一絕緣頂表面大體上共面。
5.根據權利要求1所述的半導體結構，其進一步包括第二電連接器，安置于所述第一半導體元件中，其中所述第二電連接器電連接到所述第一結合結構。
6.根據權利要求5所述的半導體結構，其進一步包括第一結合墊，所述第一結合墊安置相鄰于所述第一半導體元件的所述第一元件頂表面，其中所述第二電連接器電連接到所述第一結合墊，且所述第一結合墊電連接到所述第一結合結構。
7.根據權利要求6所述的半導體結構，其進一步包括第二結合墊，所述第二結合墊安置相鄰于所述第一半導體元件的所述第一元件底表面，其中所述第二結合墊電連接到所述第二電連接器。
8.根據權利要求5所述的半導體結構，其進一步包括圍繞所述第二電連接器的第二絕緣層和圍繞所述第二絕緣層的第二金屬層。
9.一種半導體結構，其包括：
第一半導體元件，其具有第一元件頂表面和與所述第一元件頂表面相反的第一元件底表面；以及
第一結合結構，安置于所述第一半導體元件中，所述第一結合結構包括：
第一電連接器；
第一絕緣層，圍繞所述第一電連接器；以及
第一金屬層，圍繞所述第一絕緣層。
10.根據權利要求9所述的半導體結構，其中所述第一結合結構從所述第一半導體元件的所述第一元件頂表面延伸到所述第一半導體元件的所述第一元件底表面。
11.根據權利要求9所述的半導體結構，其進一步包括第一結合墊，所述第一結合墊安置相鄰于所述第一半導體元件的所述第一元件頂表面，其中所述第一結合墊電連接到所述第一結合結構。
12.根據權利要求11所述的半導體結構，其進一步包括第二結合墊，所述第二結合墊安置相鄰于所述第一半導體元件的所述第一元件底表面，其中所述第二結合墊電連接到所述第一結合結構。
13.根據權利要求9所述的半導體結構，其進一步包括圍繞所述第一金屬層的第二絕緣層。
14.根據權利要求13所述的半導體結構，其中所述第二絕緣層具有第二絕緣頂表面和第二絕緣底表面，且所述第一絕緣層具有第一絕緣頂表面和第一絕緣底表面，其中所述第二絕緣底表面與所述第一絕緣底表面大體上共面。
15.根據權利要求9所述的半導體結構，其進一步包括：
第二結合結構，所述第二結合結構安置相鄰于所述第一半導體元件的所述第一元件頂表面或所述第一元件底表面，其中所述第二結合結構電連接到所述第一結合結構。
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