[發(fā)明專利]一種鋁基花狀復(fù)合納米結(jié)構(gòu)的SERS基底的制備方法及SERS基底有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010631907.3 | 申請日: | 2020-07-02 |
| 公開(公告)號: | CN111781188B | 公開(公告)日: | 2022-02-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 成鳴飛;方靖淮;沈佳麗;徐璐 | 申請(專利權(quán))人: | 南通大學(xué) |
| 主分類號: | G01N21/65 | 分類號: | G01N21/65;B81C1/00;B81B7/04;C23C18/44;C25D3/46;C25D11/10 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 鋁基花狀 復(fù)合 納米 結(jié)構(gòu) sers 基底 制備 方法 | ||
1.一種鋁基花狀復(fù)合納米結(jié)構(gòu)的SERS基底的制備方法,其特征在于:包括如下步驟:
步驟1、制備高度有序凹坑的鋁基底模板:
在鋁箔的背面涂上一薄層指甲油,防止其背面氧化,然后在冰浴條件下,采用草酸溶液,對鋁箔施加直流電壓進(jìn)行陽極氧化,使鋁箔上形成的一次陽極氧化層,在水浴溫度下,采用混合酸溶液中除去鋁箔上一次陽極氧化層,得到高度有序凹坑的鋁基底模板;
步驟2、制備表面具有高度有序的Ag納米顆粒陣列的模板:
在AgNO3水溶液中滴加少量濃硫酸制成電解液,施加交流電壓,將銀納米顆粒沉積到步驟1制得的高度有序凹坑的鋁基底模板上,并放置于高溫管式爐中,進(jìn)行退火處理,獲得表面具有高度有序的Ag納米顆粒陣列的模板;
步驟3、制備花狀復(fù)合Au/Ag納米復(fù)合陣列結(jié)構(gòu):
將抗壞血酸溶液緩慢滴入氯金酸和溴化鈉混合溶液中,直至混合溶液顏色由亮黃色變成無色,改變氯金酸濃度,即可制備得到不同濃度的Au+溶液;步驟2中的表面具有高度有序的Ag納米顆粒陣列的模板浸入不同濃度的Au+溶液中,反應(yīng)時(shí)間均為3min,得到鋁基花狀復(fù)合納米結(jié)構(gòu)的SERS基底。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鋁基花狀復(fù)合納米結(jié)構(gòu)的SERS基底的制備方法,其特征在于:所述步驟1具體為:在鋁箔的背面涂上一薄層指甲油,防止其背面氧化,然后在冰浴條件下,采用0.3mol/L草酸溶液,對鋁箔施加35V直流電壓進(jìn)行陽極氧化,氧化時(shí)間2h,使鋁箔上形成的一次陽極氧化層,在60-70℃的水浴溫度下,采用混合酸溶液中除去鋁箔上一次陽極氧化層,反應(yīng)時(shí)間2h,得到高度有序凹坑的鋁基底模板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鋁基花狀復(fù)合納米結(jié)構(gòu)的SERS基底的制備方法,其特征在于:步驟2具體為:在0.5g/LAgNO3水溶液中滴加少量濃硫酸制成電解液,施加5.0V的交流電壓,將銀納米顆粒沉積到步驟1制得的高度有序凹坑的鋁基底模板上,并放置于高溫管式爐中,進(jìn)行退火處理,獲得表面具有高度有序的Ag納米顆粒陣列的模板。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種鋁基花狀復(fù)合納米結(jié)構(gòu)的SERS基底的制備方法,其特征在于:所述退火處理,在N2保護(hù)下,將溫度均勻緩慢升至500℃,退火時(shí)間為4h。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鋁基花狀復(fù)合納米結(jié)構(gòu)的SERS基底的制備方法,其特征在于:所述步驟3中抗壞血酸溶液為0.10mol/L抗壞血酸溶液,所述混合溶液中的溴化鈉含量為30mmol/L,混合溶液中的氯金酸含量為0.1-0.5mmol/L。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種鋁基花狀復(fù)合納米結(jié)構(gòu)的SERS基底的制備方法,其特征在于:將所述表面具有高度有序的Ag納米顆粒陣列的模板浸入不同濃度的Au+溶液中,反應(yīng)時(shí)間均為3min。
7.一種鋁基花狀復(fù)合納米結(jié)構(gòu)的SERS基底,其特征在于:根據(jù)權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)制備方法 制備而成鋁基花狀復(fù)合納米結(jié)構(gòu)的SERS基底。
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