[發(fā)明專利]一種用于射頻微波瓷介電容器的純鈀內(nèi)電極漿料及其制備方法和應(yīng)用

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010631797.0
• 申請(qǐng)日: 2020-07-03
• 公開（公告）號(hào): CN112201474B
• 公開（公告）日: 2022-09-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔣悅清;李軍;喬峰;羅道隆;張玲;馮清福;何良
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 成都宏科電子科技有限公司
• 主分類號(hào): H01G4/008
• 分類號(hào): H01G4/008;H01G4/12;B22F1/142;B22F1/145;C22F1/14
• 代理公司: 成都睿道專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51217
• 代理人: 陶紅

本發(fā)明屬于射頻微波瓷介電容器材料技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種用于射頻微波瓷介電容器的純鈀內(nèi)電極漿料及其制備方法和應(yīng)用。該電極漿料其原料包括預(yù)處理鈀粉，預(yù)處理鈀粉由金屬粉體經(jīng)保溫處理后制得。該電極漿料能夠克服背景技術(shù)中現(xiàn)有金屬鈀的不足，該電極漿料的印刷連續(xù)性好，燒結(jié)過程中內(nèi)電極膨脹程度小，與瓷體的燒結(jié)收縮匹配性好。該制備方法包括：鈀粉的保溫預(yù)處理；該制備方法操作簡(jiǎn)單，能耗低，易于產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于射頻微波瓷介電容器材料技術(shù)領(lǐng)域，具體地說，涉及一種用于射頻微波瓷介電容器的純鈀內(nèi)電極漿料及其制備方法和應(yīng)用。

背景技術(shù)

大功率射頻微波瓷介電容器需要在大于1200℃的空氣下進(jìn)行燒結(jié)制成，同時(shí)該類型產(chǎn)品要求損耗特別小并要求內(nèi)電極的導(dǎo)電性需很好。因此，能夠在這個(gè)溫度段滿足其工藝及性能要求的材料只有金屬鈀。

然而，由于金屬鈀在空氣中進(jìn)行升溫時(shí)會(huì)存在氧化膨脹的過程，所以該類型產(chǎn)品在燒結(jié)過程中經(jīng)常會(huì)因?yàn)殡姌O的膨脹而出現(xiàn)分層開裂的問題。

發(fā)明內(nèi)容

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中上述的不足，本發(fā)明的第一目的在于提供一種用于射頻微波瓷介電容器的純鈀內(nèi)電極漿料，該電極漿料能夠克服背景技術(shù)中現(xiàn)有金屬鈀的不足，該電極漿料在燒結(jié)過程中內(nèi)電極膨脹程度小。

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中上述的不足，本發(fā)明的第二目的在于提供一種用于射頻微波瓷介電容器的純鈀內(nèi)電極漿料的制備方法，該制備方法操作簡(jiǎn)單，能耗低，易于產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中上述的不足，本發(fā)明的第三目的在于提供一種上述純鈀內(nèi)電極漿料在射頻微波瓷介電容器上的應(yīng)用。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的解決方案是：

一種用于射頻微波瓷介電容器的純鈀內(nèi)電極漿料，其原料包括預(yù)處理鈀粉，預(yù)處理鈀粉由金屬粉體經(jīng)保溫處理后制得。

一種上述用于射頻微波瓷介電容器的純鈀內(nèi)電極漿料的制備方法，包括：將鈀粉平鋪于不銹鋼托盤中，置于烘箱中進(jìn)行保溫處理，烘箱溫度調(diào)節(jié)至390-500℃，保溫2-4h，烘箱自然冷卻后得到所述預(yù)處理鈀粉。

一種上述純鈀內(nèi)電極漿料在射頻微波瓷介電容器上的應(yīng)用。

本發(fā)明提供的一種用于射頻微波瓷介電容器的純鈀內(nèi)電極漿料及其制備方法和應(yīng)用的有益效果是：

(1)本發(fā)明提供的該種用于射頻微波瓷介電容器的純鈀內(nèi)電極漿料，其原料采用了經(jīng)保溫預(yù)處理后得到的預(yù)處理鈀粉。其中經(jīng)過保溫預(yù)處理的預(yù)處理鈀粉，能夠減緩電極升溫膨脹程度。

(2)本發(fā)明提供的該種用于射頻微波瓷介電容器的純鈀內(nèi)電極漿料的制備方法，該制備方法包括鈀粉的預(yù)處理。其中，鈀粉的預(yù)處理溫度調(diào)節(jié)至390-500℃，保溫2-4h。

純鈀漿料用于MLCC時(shí)的燒結(jié)溫度在1200-1250℃之間，燒結(jié)過程在空氣環(huán)境中進(jìn)行，在300-900℃之間，鈀粉存在先氧化后還原的過程，300℃開始氧化，900℃完全還原失氧；這個(gè)過程中，氧原子進(jìn)鈀原子形成的正八面體間隙中，使晶格畸變，質(zhì)量增大，體積膨脹，MLCC電極層與介質(zhì)層間產(chǎn)生擠壓應(yīng)力，最終造成MLCC燒結(jié)過程中分層開裂；通過在390-500℃進(jìn)行預(yù)處理，將鈀粉表層先進(jìn)行氧化，可以減少燒結(jié)過程中鈀漿的總膨脹量，并提高鈀粉氧化膨脹的初始溫度，則可避免MLCC制備過程中排粘工藝出現(xiàn)的排粘分層問題。該制備方法操作簡(jiǎn)單，能耗低，易于產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。

附圖說明

圖1是未經(jīng)處理的鈀粉的SEM掃描電鏡圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例3制備的預(yù)處理鈀粉的SEM掃描電鏡圖；

圖3是未經(jīng)處理的鈀粉，以及本發(fā)明實(shí)驗(yàn)例3制備的預(yù)處理鈀粉的TGA熱重分析對(duì)比圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例3制備得到的電極漿料和對(duì)比例1制備得到的電極漿料的TMA燒結(jié)曲線對(duì)比圖；