[發(fā)明專利]壓印模具制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010631521.2
• 申請日: 2017-12-12
• 公開（公告）號: CN111752090B
• 公開（公告）日: 2023-07-14
• 發(fā)明（設計）人: 黃勝銘;林圣凱;陳志強;張暉谷;鍾佳欣;王濰淇;王銘瑞;呂仁貴;羅再昇;沈煌凱
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00
• 代理公司: 北京市立康律師事務所 11805
• 代理人: 梁揮;孟超

1.一種壓印模具制造方法，其特征在于，包含：

步驟S1000：設置一模具圖案層于一基材上；

步驟S2000：于該模具圖案層上設置一第一硬掩膜層，其中該第一硬掩膜層具有一個或多個第一鏤空區(qū)域；

步驟S3000：于該第一硬掩膜層與該第一鏤空區(qū)域上設置一第一壓印光刻膠層；

對該第一壓印光刻膠層的一第一壓印區(qū)域進行壓印以形成一第一壓印圖案，其中該第一壓印區(qū)域于該第一硬掩膜層的垂直投影范圍完全涵蓋該第一鏤空區(qū)域的范圍；

對該第一壓印光刻膠層以及該模具圖案層進行蝕刻以在該模具圖案層形成一第一模具圖案，其中該第一模具圖案的范圍與該第一鏤空區(qū)域于該模具圖案層的垂直投影范圍完全重迭，該第一壓印光刻膠層是平坦且連續(xù)的；

步驟S4000：去除該第一硬掩膜層；

步驟S5000：于該模具圖案層上設置一第二硬掩膜層，其中該第二硬掩膜層具有一個或多個第二鏤空區(qū)域，其中該第二鏤空區(qū)域于該模具圖案層的垂直投影范圍與該第一模具圖案相鄰接；

步驟S6000：于該第二硬掩膜層與該第二鏤空區(qū)域上設置一第二壓印光刻膠層；

對該第二壓印光刻膠層的一第二壓印區(qū)域進行壓印以形成一第二壓印圖案，其中該第二壓印區(qū)域于該第二硬掩膜層的垂直投影范圍完全涵蓋該第二鏤空區(qū)域的范圍；

對該第二壓印光刻膠層以及該模具圖案層進行蝕刻以在該模具圖案層形成一第二模具圖案，其中該第二模具圖案的范圍與該第二鏤空區(qū)域于該模具圖案層的垂直投影范圍完全重迭，該第二壓印光刻膠層是平坦且連續(xù)的；

步驟S7000：去除該第二硬掩膜層。

2.根據(jù)權利要求1所述的壓印模具制造方法，其特征在于，在該步驟S3000及該步驟S6000中使用相同的母模具分別對該第一壓印區(qū)域及該第二壓印區(qū)域進行壓印。

3.根據(jù)權利要求1所述的壓印模具制造方法，其特征在于，采用接觸式曝光，該第一壓印光刻膠層的該第一壓印區(qū)域在進行壓印后，形成一殘余光刻膠層以及位于該殘余光刻膠層上的該第一壓印圖案，其中：

該第一硬掩膜層具有一硬掩膜層厚度H_HM；

該殘余光刻膠層具有一殘余光刻膠層厚度H_RL；

H_HMH_RL。

4.根據(jù)權利要求1所述的壓印模具制造方法，其特征在于，

該第一壓印光刻膠層的該第一壓印區(qū)域在進行壓印后，形成一殘余光刻膠層以及位于該殘余光刻膠層上的該第一壓印圖案，其中：

該殘余光刻膠層具有一殘余光刻膠層厚度H_RL；

該第一壓印圖案具有一第一高度H₁；

對該第一壓印光刻膠層以及該模具圖案層進行蝕刻至該殘余光刻膠層清除時：

該第一壓印圖案具有一第二高度H₂；

該第一壓印光刻膠層的頂蝕刻率為E₁；

該第一壓印光刻膠層的底蝕刻率為E₂；

對該第一壓印光刻膠層以及該模具圖案層進行蝕刻至暴露部分的該基材時，其中：

該第一壓印圖案具有一第三高度(H₃)；

其中，H_RL≦[(H₁–(H₂-H₃))x(E₂/E₁)]。

5.根據(jù)權利要求1所述的壓印模具制造方法，其特征在于，該第一壓印光刻膠層的該第一壓印區(qū)域在進行壓印后，形成一殘余光刻膠層以及位于該殘余光刻膠層上的該第一壓印圖案，該第一壓印圖案具有一第一高度H₁，其中H₁不大于該第一壓印圖案的線寬及該第一壓印圖案的間距寬兩者當中較小者的三倍。

6.根據(jù)權利要求1所述的壓印模具制造方法，其特征在于，

該第一壓印光刻膠層的該第一壓印區(qū)域在進行壓印后，形成一殘余光刻膠層以及位于該殘余光刻膠層上的該第一壓印圖案，其中：

該模具圖案層具有一第四高度H₄；

對該第一壓印光刻膠層以及該模具圖案層進行蝕刻至該殘余光刻膠層清除時，其中：

該第一壓印圖案具有一第二高度H₂；

該壓印光刻膠層的頂蝕刻率為E₁；

對該第一壓印光刻膠層以及該模具圖案層進行蝕刻至暴露部分的該基材時，其中：

該第一壓印圖案具有一第三高度H₃；

該模具圖案層的蝕刻率為E₃；

其中，(H₂-H₃)＝(E₁?x(H₄/E₃))。