[發明專利]像素排列結構有效
| 申請號: | 202010631408.4 | 申請日: | 2018-02-26 |
| 公開(公告)號: | CN111863887B | 公開(公告)日: | 2021-04-02 |
| 發明(設計)人: | 趙勇;孫亮;李豪凱 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 高楊麗 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 排列 結構 | ||
1.一種像素排列結構,其特征在于,包括交替排列的多個第一像素行及多個第二像素行;
每一所述第一像素行包括交替且間隔排列的多個第一子像素和多個第二子像素,每一所述第二像素行包括間隔排列的多個第三子像素;
所述第三子像素的形狀包括由弧線構成的形狀;
所述第一子像素和所述第二子像素均包括四條第一邊和四條第二邊,所述第一邊與所述第二邊交替相連并圍成封閉圖形,所述第一邊和所述第二邊均包括弧線;
所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的顏色不同。
2.如權利要求1所述的像素排列結構,其特征在于,所述第一邊包括向所述封閉圖形的內部凹陷的弧線,所述第二邊包括向所述封閉圖形的外部凸出的弧線。
3.如權利要求1所述像素排列結構,其特征在于,所述第一子像素的四條所述第一邊的曲率半徑相同,和/或,所述第二子像素的四條所述第一邊的曲率半徑相同。
4.如權利要求1所述像素排列結構,其特征在于,所述第一子像素的四條所述第二邊的曲率半徑相同,和/或,所述第二子像素的四條所述第二邊的曲率半徑相同。
5.如權利要求1所述像素排列結構,其特征在于,所述第一子像素的所述第一邊的曲率半徑等于所述第一子像素的所述第二邊的曲率半徑,和/或,所述第二子像素的所述第一邊的曲率半徑等于所述第二子像素的所述第二邊的曲率半徑。
6.如權利要求1所述的像素排列結構,其特征在于,每一所述第一子像素的四條第一邊分別與所述第一子像素相鄰的四個所述第三子像素相對,每一所述第二子像素的四條第一邊分別與所述第二子像素相鄰的四個所述第三子像素相對;或者
每一所述第一子像素的四條第二邊分別與所述第一子像素相鄰的四個所述第三子像素相對,每一所述第二子像素的四條第二邊分別與所述第二子像素相鄰的四個所述第三子像素相對。
7.如權利要求1所述的像素排列結構,其特征在于,所述像素排列結構的像素密度為200ppi~600ppi。
8.如權利要求1所述的像素排列結構,其特征在于,所述第一子像素的第一邊到相對的所述第三子像素的邊緣的距離以及所述第二子像素的第一邊到相對的所述第三子像素的邊緣的距離均為第一長度,所述第一子像素和所述第二子像素的中心點到所述第一子像素和所述第二子像素的第一邊的距離均為第二長度,所述第三子像素的最小外接圓的半徑為第三長度;
所述第一長度為10μm~30μm,所述第二長度為10μm~50μm,所述第三長度為4μm~40μm。
9.如權利要求1所述的像素排列結構,其特征在于,所述第三子像素的中心與所述第一子像素的所述第一邊的曲率半徑的一端點重合,和/或,所述第三子像素的中心與所述第二子像素的所述第一邊的曲率半徑的一端點重合。
10.如權利要求1所述的像素排列結構,其特征在于,所述第三子像素的中心與所述第一子像素的所述第一邊所對應的圓形的圓心重合,和/或,所述第三子像素的中心與所述第二子像素的所述第一邊所對應的圓形的圓心重合。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





