[發明專利]三維存儲器及三維存儲器制作方法

有效

• 申請號: 202010631304.3
• 申請日: 2020-07-03
• 公開（公告）號: CN111755454B
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發明（設計）人: 吳林春;劉磊;張坤;周文犀;夏志良;霍宗亮
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/1157
• 分類號: H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 朱穎;臧建明

1.一種三維存儲器，其特征在于，包括：

基底；

設置在所述基底上的堆疊結構，貫穿所述堆疊結構且將所述堆疊結構劃分為多個塊區域的柵極縫，所述柵極縫內填充有絕緣體；

設置在所述基底和所述堆疊結構之間的連接層和導通層，所述導通層位于所述連接層朝向所述基底的一側，且所述連接層與所述導通層接合；所述塊區域內的半導體結構連接同一所述連接層和所述導通層；

所述柵極縫包括貫穿所述連接層和部分所述基底的第一縫體、以及貫穿所述堆疊結構的第二縫體，所述絕緣體填充在所述第一縫體和所述第二縫體內；

所述第二縫體在所述基底上的投影面積小于所述第一縫體在所述基底上的投影面積。

2.根據權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述基底設有凹槽，所述導通層設置在所述凹槽內，所述半導體結構的底部容納于所述凹槽。

3.根據權利要求2所述的三維存儲器，其特征在于，所述連接層包括靠近所述基底的第一連接層以及遠離所述基底的第二連接層，所述第一連接層位于所述凹槽內，所述第二連接層覆蓋所述第一連接層和位于所述第一連接層周圍的至少部分所述基底。

4.根據權利要求3所述的三維存儲器，其特征在于，所述半導體結構的側壁上設置有延伸至所述半導體結構的半導體柱的連接槽，部分所述第二連接層延伸至所述連接槽內，且與所述半導體柱連接。

5.根據權利要求3所述的三維存儲器，其特征在于，所述導通層覆蓋在所述凹槽的槽底和側壁上，所述導通層圍設成凹陷部，所述第一連接層填充在所述凹陷部內；所述凹槽側壁上的所述導通層與所述第二連接層接觸。

6.根據權利要求1-5任一項所述的三維存儲器，其特征在于，所述堆疊結構包括階梯區以及核心區，溝道孔位于所述核心區內，所述階梯區內的所述堆疊結構為呈階梯狀的階梯結構，所述階梯結構上設置有絕緣填充物，所述絕緣填充物上設置有向所述基底延伸的第一連接孔，所述第一連接孔延伸至所述導通層，第一連接線設置在所述第一連接孔內，且所述第一連接線朝向所述基底的一端與所述導通層連接，所述第一連接線背離所述基底的一端用于與外部設備連接。

7.根據權利要求6所述的三維存儲器，其特征在于，所述三維存儲器還包括設置在所述堆疊結構背離所述基底一側的外圍器件，所述第一連接線背離所述基底的一端與所述外圍器件連接。

8.根據權利要求1-5任一項所述的三維存儲器，其特征在于，所述基底上設置有第二連接孔，所述第二連接孔延伸至所述導通層，所述第二連接孔內設置有第二連接線，所述第二連接線朝向所述堆疊結構的一端與所述導通層連接，所述第二連接線背離所述堆疊結構的一端用于與外部設備連接。

9.根據權利要求1-5任一項所述的三維存儲器，其特征在于，所述導通層包括金屬層。

10.根據權利要求9所述的三維存儲器，其特征在于，所述金屬層為鎢層。

11.根據權利要求1-5任一項所述的三維存儲器，其特征在于，所述絕緣體包括氧化硅體或者氮化硅體。