[發(fā)明專利]一種BT-BRT復合超低損耗多層瓷介電容器用介質(zhì)陶瓷材料及其制備方法和應用

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010631192.1
• 申請日: 2020-07-03
• 公開（公告）號: CN111825446B
• 公開（公告）日: 2022-08-12
• 發(fā)明（設計）人: 江俊俊;羅靜;李少利;李紅衛(wèi);王興才
• 申請（專利權）人: 成都宏科電子科技有限公司
• 主分類號: C04B35/468
• 分類號: C04B35/468;C04B35/622;H01G4/12;H01G4/30
• 代理公司: 成都睿道專利代理事務所(普通合伙) 51217
• 代理人: 陶紅

1.一種BT-BRT復合超低損耗多層瓷介電容器用介質(zhì)陶瓷材料，其特征在于：其原料包括BT-BRT復合物；所述BT-BRT復合物的化學組成式為：yBa₂Ti₉O₂₀-zBa_6-3xRe_8+2xTi₁₈O₅₄，其中，0.4≤x≤0.6，y=0.6，z=0.4，Re選自Nd、La、Sm中的至少一種；

其原料還包括改性添加劑；所述改性添加劑包括金屬氧化物；

所述金屬氧化物包括：Al₂O₃、ZnO、SiO₂、Nb₂O₅、MnO₂和MgO中的至少一種；

所述Al₂O₃占所述BT-BRT復合物的質(zhì)量的百分比小于或等于3%；所述ZnO占所述BT-BRT復合物的質(zhì)量的百分比小于或等于3%；所述SiO₂占所述BT-BRT復合物的質(zhì)量的百分比小于或等于3%；所述Nb₂O₅占所述BT-BRT復合物的質(zhì)量的百分比小于或等于3%；所述MnO₂占所述BT-BRT復合物的質(zhì)量的百分比小于或等于3%；所述MgO占所述BT-BRT復合物的質(zhì)量的百分比小于或等于3%。

2.一種如權利要求1所述的BT-BRT復合超低損耗多層瓷介電容器用介質(zhì)陶瓷材料的制備方法，其特征在于：包括：

（1）所述Ba₂Ti₉O₂₀的合成：按照摩爾比為1:4.5稱取BaCO₃和TiO₂混合得到第一混合物；接著將所述第一混合物球磨后烘干，接著過篩后煅燒，合成所述Ba₂Ti₉O₂₀燒塊料；

（2）所述Ba_6-3xRe_8+2xTi₁₈O₅₄的合成：取x=0.4-0.6，按照摩爾比為6-3x：8+2x：18稱取BaCO₃、Re₂O₃和TiO₂，混合得到第二混合物；將所述第二混合物煅燒，合成所述Ba_6-3xRe_8+2xTi₁₈O₅₄燒塊料；

（3）所述介質(zhì)陶瓷材料的制備：取y=0.6，z=0.4，稱取所述Ba₂Ti₉O₂₀和所述Ba_6-3xRe_8+2xTi₁₈O₅₄，并按所述比例稱取所述改性添加劑，研磨、混合后得到所述介質(zhì)陶瓷材料；

（4）將所述介質(zhì)陶瓷材料按照料粉與石蠟比為100：7.5的比例進行和蠟操作，然后在200MPa的壓強下壓片成型為Φ14×1.5圓片的生坯，將所述生坯平置在氧化鋯板上，放置程控爐中按2.1℃/min的升溫速率加熱至1260℃～1280℃后保溫3h，隨爐冷卻取出成為圓片瓷體，將所述圓片瓷體的兩面涂上銀電極并測試其電性能。

3.根據(jù)權利要求2所述的BT-BRT復合超低損耗多層瓷介電容器用介質(zhì)陶瓷材料的制備方法，其特征在于：步驟（1）中，烘干溫度為100-140℃。

4.一種如權利要求1所述的介質(zhì)陶瓷材料在多層瓷介電容器上的應用。