[發明專利]一種低溫燒結BNT微波介質材料及其制備方法有效
| 申請號： | 202010631172.4 | 申請日： | 2020-07-03 |
| 公開（公告）號： | CN111943673B | 公開（公告）日： | 2023-03-21 |
| 發明（設計）人： | 趙楊軍;謝波;李紅衛;劉楊瓊;那文菊 | 申請（專利權）人： | 成都宏科電子科技有限公司 |
| 主分類號： | C04B35/50 | 分類號： | C04B35/50;C04B35/468;C04B35/64 |
| 代理公司： | 成都睿道專利代理事務所(普通合伙) 51217 | 代理人： | 陶紅 |
| 地址： | 610100 四川省成都市*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 低溫 燒結 bnt 微波 介質 材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種低溫燒結BNT微波介質材料，其特征在于：其原料包括主晶相、改性添加劑和燒結助劑；所述主晶相的化學式為Ba6-3XNd8+2XTi18O54（0.75≤X≤1）；所述改性添加劑包括第一Bi2O3和SiO2；所述燒結助劑包括第二Bi2O3和B2O3；
所述主晶相的摩爾百分比為65-75mol%、所述改性添加劑的摩爾百分比為7.9-20mol%、所述燒結助劑的摩爾百分比為5-16mol%；
所述第一Bi2O3占所述BNT微波介質材料的摩爾百分比為5-11mol%，所述SiO2占所述BNT微波介質材料的摩爾百分比為2-8mol%；所述第二Bi2O3占所述BNT微波介質材料的摩爾百分比為1-3mol%，所述B2O3占所述BNT微波介質材料的摩爾百分比為2.5-7mol%；
所述燒結助劑還包括BaO；所述BaO占所述BNT微波介質材料的摩爾百分比小于或等于1mol%；
所述燒結助劑還包括TiO2；所述TiO2占所述BNT微波介質材料的摩爾百分比小于或等于2mol%；
所述燒結助劑還包括ZnO；所述ZnO占所述BNT微波介質材料的摩爾百分比小于或等于3mol%。
2.根據權利要求1所述的低溫燒結BNT微波介質材料，其特征在于：所述改性添加劑還包括Sm2O3；所述Sm2O3占所述BNT微波介質材料的摩爾百分比小于或等于1mol%。
3.根據權利要求2所述的低溫燒結BNT微波介質材料，其特征在于：所述改性添加劑還包括Dy2O3；所述Dy2O3占所述BNT微波介質材料的摩爾百分比小于或等于1mol%。
4.一種如根據權利要求1-3任意一項所述的低溫燒結BNT微波介質材料的制備方法，其特征在于：包括：
（1）將所述主晶相和所述改性添加劑混合后進行球磨，球磨后烘干、過篩后于1080℃溫度下進行煅燒并保溫3h；接著過篩得到化合物A；
（2）將所述燒結助劑進行球磨，球磨后烘干、過篩后于600℃溫度下進行煅燒并保溫3h，接著過篩得到化合物B；
（3）將所述化合物A和所述化合物B混合后進行球磨，球磨后烘干、過篩得到粉料C；
（4）將所述粉料C制成坯體后排膠，升溫至960-1010℃對排膠后的所述坯體進行燒結，保溫2-4h后隨爐自然冷卻。
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