[發明專利]雙邊沿D觸發器

在審

• 申請號: 202010630988.5
• 申請日: 2020-07-03
• 公開（公告）號: CN111884626A
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發明（設計）人: 曹亞歷
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H03K3/012
• 分類號: H03K3/012;H03K3/02
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 羅雅文

1.一種雙邊沿D觸發器，其特征在于，至少包括觸發電路和求值電路；

所述觸發電路用于根據時鐘信號生成內部觸發信號；

所述求值電路用于根據所述內部觸發信號和輸入數據信號，在所述時鐘信號的上升沿和下降沿的觸發下分別輸出輸出數據信號；

其中，所述觸發電路包括兩個輸入信號處理電路和觸發信號生成電路，每個輸入信號處理電路由一個PMOS管、一個NMOS管、一個與門、兩個非門構成，所述觸發信號生成電路由串聯的或門和非門構成；

時鐘信號與第一輸入信號處理電路連接，反相時鐘信號與第二輸入信號處理電路連接，兩個輸入信號處理電路的輸出端與所述觸發信號生成電路中或門的輸入端連接，所述觸發信號生成電路中的或門輸出第一內部觸發信號，所述觸發信號生成電路中的非門輸出第二內部觸發信號；

所述求值電路由傳輸門、三態反相器和若干個非門構成，所述傳輸門的輸入端通過一個非門接收所述輸入數據信號，所述傳輸門還接收所述第一內部觸發信號和第二內部觸發信號，所述傳輸門與所述三態反相器連接，所述三態反相器接收所述第一內部觸發信號和所述第二內部觸發信號。

2.根據權利要求1所述的雙邊沿D觸發器，其特征在于，在每個輸入信號處理電路中，所述PMOS管的源極連接電源電壓，所述PMOS管的漏極與所述NMOS管的漏極連接，所述NMOS管的源極接地；

所述PMOS管與所述NMOS管的公共端和所述與門的第一輸入端連接，所述與門的第二輸入端與所述PMOS管的柵極連接；

所述與門的輸出端與第一非門連接，所述第一非門與所述第二非門連接；

所述NMOS管的柵極與所述第二非門的輸出端連接后，與所述觸發信號生成電路中或門的輸入端連接。

3.根據權利要求2所述的雙邊沿D觸發器，其特征在于，所述第一輸入信號處理電路中PMOS管的柵極連接所述時鐘信號；

所述第二輸入信號處理電路中PMOS管的柵極連接所述反相時鐘信號。

4.根據權利要求1所述的雙邊沿D觸發器，其特征在于，所述觸發信號生成電路中的或門輸出第一內部觸發信號，所述觸發信號生成電路中的第三非門輸出第二內部觸發信號；

所述第一內部觸發信號與所述第二內部觸發信號的相位互補。

5.根據權利要求4所述的雙邊沿D觸發器，其特征在于，在所述觸發電路中，所述時鐘信號的上升沿觸發所述第一內部觸發信號由低電平轉變為高電平短脈沖；

所述時鐘信號的下降沿觸發所述第一內部觸發信號由低電平轉變為高電平短脈沖。

6.根據權利要求1所述的雙邊沿D觸發器，其特征在于，所述求值電路包括第四非門、傳輸門、第五非門、第六非門、第七非門和三態反相器；

所述第四非門的輸入端接收所述輸入數據信號；

所述第四非門與所述傳輸門連接，所述傳輸門與所述第五非門連接，所述第五非門與所述第六非門連接，所述第六非門與所述第七非門連接；

所述傳輸門的兩個控制端分別接收所述觸發電路提供的第一內部觸發信號和第二內部觸發信號；

所述三態反相器的第一輸入端連接所述第五非門的輸出端，所述三態反相器的輸出端連接所述第五非門的輸入端；

所述三態反相器的第二輸入端、第三輸入端分別接收所述觸發電路提供的第一內部觸發信號和第二內部觸發信號。

7.根據權利要求6所述的雙邊沿D觸發器，其特征在于，所述第四非門的輸出端與所述傳輸門的輸入端連接，所述傳輸門的輸出端與所述第五非門的輸入端連接。

8.根據權利要求1所述的雙邊沿D觸發器，其特征在于，所述傳輸門由一個NMOS管和一個PMOS管構成，所述PMOS管的柵極連接所述第一內部觸發信號，所述NMOS管的柵極連接第二內部觸發信號。