[發明專利]電極的制造方法、電極、蓄電池及電子設備

在審

• 申請號: 202010630796.4
• 申請日: 2015-05-29
• 公開（公告）號: CN111710870A
• 公開（公告）日: 2020-09-25
• 發明（設計）人: 池沼達也
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01M4/62
• 分類號: H01M4/62;H01M10/0525;H01M4/133;H01M4/04
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 劉強

1.一種鋰離子二次電池，包括：

負極；

電解質；以及

正極，其包括正極活性物質層，

其中所述正極活性物質層包括：

包括鋰的多個正極活性物質粒子；

導電助劑；以及

部分脫氟化氫的聚偏氟乙烯，并且

其中，所述部分脫氟化氫的聚偏氟乙烯包括多烯結構和芳環結構中的至少一個。

2.根據權利要求1所述的鋰離子二次電池，

其中，所述導電助劑包括石墨烯。

3.根據權利要求1所述的鋰離子二次電池，

其中，所述石墨烯與所述多個正極活性物質粒子形成面接觸。

4.一種鋰離子二次電池，包括：

負極；

電解質；以及

正極，其包括集流體和所述集流體上的正極活性物質層，

其中，所述集流體包括：

金屬層；以及

所述金屬層上的包括碳粒子的層，

其中所述正極活性物質層包括：

包括鋰的多個正極活性物質粒子；以及

部分脫氟化氫的聚偏氟乙烯，并且

其中，所述部分脫氟化氫的聚偏氟乙烯包括多烯結構和芳環結構中的至少一個。

5.根據權利要求4所述的鋰離子二次電池，

其中，所述層的厚度為2μm以下。

6.根據權利要求4所述的鋰離子二次電池，

其中，所述正極活性物質層還包括導電助劑。

7.根據權利要求6所述的鋰離子二次電池，

其中，所述導電助劑包括碳黑。

8.根據權利要求6所述的鋰離子二次電池，

其中，所述導電助劑包括石墨烯。

9.根據權利要求8所述的鋰離子二次電池，

其中，所述石墨烯與所述多個正極活性物質粒子形成面接觸。

10.根據權利要求1或4所述的鋰離子二次電池，

其中，所述多烯結構或所述芳環結構位于所述部分脫氟化氫的聚偏氟乙烯的主鏈中。

11.根據權利要求1或4所述的鋰離子二次電池，

其中，所述多個正極活性物質粒子包括具有橄欖石型結構、層狀巖鹽型結構、尖晶石型結構和NASICON型結晶結構中的任一種的材料。

12.根據權利要求1或4所述的鋰離子二次電池，

其中，所述多個正極活性物質粒子包括LiFeO₂、LiCoO₂、LiNiO₂、LiMn₂O₄、V₂O₅、Cr₂O₅和MnO₂中的任一種。

13.根據權利要求1或4所述的鋰離子二次電池，

其中，所述多個正極活性物質粒子包括橄欖石型結構的含鋰復合磷酸鹽。

14.根據權利要求1或4所述的鋰離子二次電池，

其中，所述負極包括負極活性物質，并且

其中，所述負極活性物質包括石墨、易石墨化碳、難石墨化碳、碳納米管、石墨烯、碳黑。

15.根據權利要求1或4所述的鋰離子二次電池，

其中，所述負極包括負極活性物質，并且

其中，所述負極活性物質包括Mg、Ca、Ga、Si、Al、Ge、Sn、Pb、Sb、Bi、Ag、Zn、Cd、As、Hg和In中的任一種。

16.根據權利要求1或4所述的鋰離子二次電池，

其中，所述負極包括負極活性物質，并且

其中，所述負極活性物質包括SiO、Mg₂Si、Mg₂Ge、SnO、SnO₂、Mg₂Sn、SnS₂、V₂Sn₃、FeSn₂、CoSn₂、Ni₃Sn₂、Cu₆Sn₅、Ag₃Sn、Ag₃Sb、Ni₂MnSb、CeSb₃、LaSn₃、La₃Co₂Sn₇、CoSb₃、InSb、SbSn中的任一種。