[發明專利]多頻復合大功率瓦片式有源相控陣天線

有效

• 申請號: 202010630566.8
• 申請日: 2020-07-03
• 公開（公告）號: CN111525284B
• 公開（公告）日: 2020-09-22
• 發明（設計）人: 周沛翰;薛偉;馮琳;符博;丁卓富
• 申請（專利權）人: 成都雷電微力科技股份有限公司
• 主分類號: H01Q21/30
• 分類號: H01Q21/30;H01Q23/00;H01Q1/02;H01Q1/50;H01Q21/00
• 代理公司: 成都九鼎天元知識產權代理有限公司 51214
• 代理人: 封浪

1.一種多頻復合大功率瓦片式有源相控陣天線，其特征在于，其包括從射頻信號激勵端到天線輻射端逐層設置的波控供電層（7）、蓋板層（6）、低頻供電轉接層（5）、射頻層（4）、射頻轉接層（3）、模塊腔體（2）和陣列天線層（1）；射頻層（4）包括至少一層射頻子層；蓋板層（6）密封模塊腔體（2）的開口；

所述波控供電層（7）用于獲取外部電源，并向低頻供電轉接層（5）供電和發送數字信號；

所述低頻供電轉接層（5）連接于所述波控供電層（7），用于分別獲取供電和數字信號，還用于分別為各射頻子層和射頻轉接層（3）供電和傳輸數字信號；

各所述射頻子層和所述射頻轉接層（3）分別連接有對應的高頻連接器（44），各所述高頻連接器（44）均依次貫穿波控供電層（7）、蓋板層（6）和低頻供電轉接層（5），連接到最上層的射頻子層上；位于非最上層的各射頻子層和所述射頻轉接層（3），分別通過相應的射頻垂直連接結構連接到對應的高頻連接器（44）；各射頻子層分別通過相應的射頻垂直連接結構將預處理結果引入所述射頻轉接層（3），各所述射頻子層和所述射頻轉接層（3）分別通過對應的高頻連接器（44）接收對應頻率的激勵信號，并根據接收的數字信號對接收的激勵信號進行預處理；各所述射頻子層還分別通過射頻垂直傳輸方式將對激勵信號的預處理結果引入射頻轉接層（3）；所述射頻轉接層（3）還將本層對激勵信號的預處理結果，以及各層射頻子層引入的預處理結果，分別通過對應的射頻接口傳輸到設置于陣列天線層（1）上對應的天線單元；

所述模塊腔體（2）層內設置有散熱結構。

2.如權利要求1所述的多頻復合大功率瓦片式有源相控陣天線，其特征在于，所述射頻接口為空氣同軸（34）。

3.如權利要求1所述的多頻復合大功率瓦片式有源相控陣天線，其特征在于，所述射頻轉接層（3）設置有用于預處理激勵信號的多功能芯片組，所述射頻轉接層（3）上設置有導熱結構，所述導熱結構兩端分別與模塊腔體（2）和所述多功能芯片組中的大功率芯片接觸。

4.如權利要求1所述的多頻復合大功率瓦片式有源相控陣天線，其特征在于，所述射頻垂直連接結構由類同軸過渡接口（36）或介質波導（43）構成。

5.如權利要求4所述的多頻復合大功率瓦片式有源相控陣天線，其特征在于，對于傳輸偏低頻波段的信號，對應的射頻垂直連接結構由類同軸過渡接口（36）構成，對于傳輸偏高頻波段的信號，對應的射頻垂直連接結構由介質波導（43）構成。

6.如權利要求1所述的多頻復合大功率瓦片式有源相控陣天線，其特征在于，所述散熱結構為微流道（21）。

7.如權利要求2所述的多頻復合大功率瓦片式有源相控陣天線，其特征在于，各所述空氣同軸（34）分別通過對應的第一射頻連接結構（22）和第二射頻連接結構（13）連接到對應的天線單元；所述第一射頻連接結構（22）設置于模塊腔體（2）上，所述第一射頻連接結構（22）的針頭伸入對應的所述空氣同軸（34）中并與所述射頻轉接層（3）鍵合；所述第二射頻連接結構（13）設置于天線陣列層（1）上，所述第二射頻連接結構（13）的針頭連接對應的所述天線單元。

8.如權利要求1所述的多頻復合大功率瓦片式有源相控陣天線，其特征在于，所述低頻供電轉接層（5）層內設置有銅基熱沉。

9.如權利要求1所述的多頻復合大功率瓦片式有源相控陣天線，其特征在于，各所述射頻子層和所述射頻轉接層（3）均設置有相互對應的供電焊盤，各所述射頻子層和所述射頻轉接層（3）的供電焊盤依次相連，最上層射頻子層的供電焊盤連接到所述低頻供電轉接層（5），以獲得供電。