[發明專利]電阻式隨機存取存儲器及其制造方法在審

申請號：	202010630340.8	申請日：	2020-07-03
公開（公告）號：	CN113889570A	公開（公告）日：	2022-01-04
發明（設計）人：	許博硯;蔡世寧;吳伯倫;郭澤綿	申請（專利權）人：	華邦電子股份有限公司
主分類號：	H01L45/00	分類號：	H01L45/00;H01L27/24
代理公司：	北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205	代理人：	張娜;臧建明
地址：	中國臺灣臺***	國省代碼：	臺灣;71
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摘要：
搜索關鍵詞：	電阻隨機存取存儲器及其制造方法
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【說明書】：

本發明提供一種電阻式隨機存取存儲器及其制造方法。電阻式隨機存取存儲器包括堆疊結構以及位線結構。堆疊結構設置于襯底上。堆疊結構包括下部電極、上部電極以及可變電阻層。下部電極設置于襯底上。上部電極設置于下部電極上。可變電阻層設置于下部電極與上部電極之間。位線結構覆蓋堆疊結構的頂面且覆蓋至堆疊結構的側壁的一部份。位線結構與堆疊結構電性連接。

技術領域

本發明涉及一種非易失性存儲器及其制造方法，尤其涉及一種電阻式隨機存取存儲器及其制造方法。

背景技術

電阻式隨機存取存儲器(resistive random access memory,RRAM)具有結構簡單、面積小、操作電壓小、操作速度快、存儲時間長、多狀態存儲、及耗功率低等優點，因此已逐漸成為一種趨勢。

一般而言，在電阻式隨機存取存儲器內所存在的任何結構都會對其電阻值及電性效能造成影響。因此，如何設計出一種電阻式隨機存取存儲器，使其在操作時能獲得較佳的電性效能將變成相當重要的一門課題。

發明內容

本發明是針對一種電阻式隨機存取存儲器及其制造方法，其可以在操作時獲得較佳的電性效能且能符合微型化的趨勢。

根據本發明的實施例，一種電阻式隨機存取存儲器，包括堆疊結構以及位線結構。堆疊結構設置于襯底上。堆疊結構包括下部電極、上部電極以及可變電阻層。下部電極設置于襯底上。上部電極設置于下部電極上。可變電阻層設置于下部電極與上部電極之間。位線結構覆蓋堆疊結構的頂面且覆蓋至堆疊結構的側壁的一部份。位線結構與堆疊結構電性連接。

根據本發明的實施例，一種電阻式隨機存取存儲器的制造方法，至少包括以下步驟。形成堆疊結構于襯底上，其中堆疊結構包括依序形成的下部電極、可變電阻層與上部電極。形成絕緣層于堆疊結構上，且絕緣層具有開口。形成介電材料于開口中。移除部分絕緣層與介電材料，以于堆疊結構上形成溝渠，其中溝渠暴露出堆疊結構的頂面與堆疊結構的側壁的一部份。形成位線結構于溝渠內，其中位線結構與堆疊結構電性連接。

基于上述，本發明的電阻式隨機存取存儲器的位線結構覆蓋堆疊結構的頂面并覆蓋至堆疊結構的側壁的一部份，因此可以增加位線結構與上部電極之間電性連接的面積使位線結構與上部電極直接接觸加大接觸窗，免除使用其他元件連接位線結構與上部電極之間所形成的額外電阻值，以有效地使其在操作時獲得較佳的電性效能且能符合微型化的趨勢。

為讓本發明的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細說明如下。

附圖說明

圖1A至圖1G是依照本發明一實施例的一種電阻式隨機存取存儲器的制造流程的剖面示意圖。

附圖標記說明

10、12、14:絕緣材料

20:掩模材料

100:電阻式隨機存取存儲器

101:絕緣層

102:插塞

110:襯底

112:下部電極

114:可變電阻層