[發明專利]可控硅整流器

在審

• 申請號: 202010630301.8
• 申請日: 2020-07-03
• 公開（公告）號: CN112185953A
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: C·C·魯斯;G-D·克雷圖;F·馬格里尼
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張凌苗;申屠偉進

1.一種可控硅整流器SCR（1000），包括：

半導體本體（102），包括第一主表面（104）；

有源器件區（106）；

第一、第二、第三和第四表面接觸區域（1081，1082，1083，1084），在第一主表面（104）處沿著第一橫向方向（x1）一個接一個地直接布置，其中，半導體本體（102）在第一到第四表面接觸區域（1081，1082，1083，1084）中的每個處電接觸；

第一、第二、第三和第四SCR區（1101、1102、1103、1104），其中，第一和第三SCR區（1101、1103）是第一導電類型的并且分別直接鄰接第一和第三表面接觸區域（1081、1083），并且其中，第二和第四SCR區（1102、1104）是第二導電類型的并且分別直接鄰接第二和第四表面接觸區域（1082；1084）；

第一導電類型的第一阱區（112），其中，第二SCR區（1102）在第一主表面（104）處與第一阱區（112）至少部分地重疊，并且第一SCR區（1101）在第一主表面（104）處與第一阱區（112）至多部分地重疊；

第二導電類型的第二阱區（122），其中，第三SCR區（1103）在第一主表面（104）處與第二阱區至少部分地重疊，并且第四SCR區（1104）在第一主表面（104）處與第二阱區（122）至多部分地重疊，并且其中，

第一SCR區（1101）電連接到第二SCR區（1102），并且第三SCR區（1103）電連接到第四SCR區（1104）。

2.一種可控硅整流器SCR（1000），包括：

半導體本體（102），包括第一主表面（104）；

有源器件區（106）；

在第一主表面（104）處的第一、第二、第三、第四和第五表面接觸區域（1081、1082、1083、1084、1085），其中，第一、第二、第五、第三和第四表面接觸區域沿著第一橫向方向（x1）一個接一個地直接布置，并且其中，半導體本體（102）在第一至第五表面接觸區域（1081、1082、1083、1084、1085）中的每個處電接觸；

第一、第二、第三和第四SCR區（1101、1102、1103、1104），其中，第一和第三SCR區（1101、1103）是第一導電類型的并且分別直接鄰接第一和第三表面接觸區域（1081、1083），并且其中第二和第四SCR區（1102、1104）是第二導電類型的并且分別直接鄰接第二和第四表面接觸區域（1082；1084）；

第一導電類型的觸發區（142），其直接鄰接第五表面接觸區域（1085）；

第一導電類型的第一阱區（112），其中，第二SCR區（1102）在第一主表面（104）處與第一阱區（112）至少部分地重疊，并且第一SCR區（1101）在第一主表面（104）處與第一阱區（112）至多部分地重疊，并且其中，

第一SCR區（1101）電連接到第二SCR區（1102），并且第三SCR區（1103）電連接到第四SCR區（1104）。

3.根據前述權利要求中的任一項所述的SCR（1000），其中，第一阱區（112）沿第一橫向方向與第一SCR區（1101）間隔開。

4.根據權利要求3所述的SCR（1000），其中，第二阱區沿第一橫向方向（x1）與第四SCR區（1104）間隔開。

5.根據權利要求3至4中任一項所述的SCR（1000），還包括第二導電類型的第三阱區，其中，

第三阱區比第二阱區沿著垂直于第一橫向方向（x1）的方向延伸得更遠；

第三阱區比第二阱區沿著第一橫向方向（x1）延伸得更遠，以及

第三阱區在第一主表面（104）處與第二阱區至少部分地重疊。

6.根據權利要求5所述的SCR（1000），其中，第三阱區在第一主表面（104）處與第四SCR區（1104）至少部分地重疊。

7.根據前述權利要求中的任一項所述的SCR（1000），還包括電阻器，其中，第一SCR區（1101）和第二SCR區（1102）經由電阻器電連接。