[發明專利]半導體晶體管器件及其制造方法

在審

• 申請號: 202010630300.3
• 申請日: 2020-07-03
• 公開（公告）號: CN112186039A
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: T.法伊爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 劉茜璐;申屠偉進

1.一種半導體晶體管器件（1），具有：

源極區（2），

包括豎直溝道區（3.1）的本體區（3），

漏極區（4），

柵極區（6），側向地在所述溝道區（3.1）的旁邊，

通過摻雜而形成的本體接觸區（7），

擴散阻擋層（20.1），以及

由導電材料形成的導電區（8），

其中，所述本體接觸區（7）電接觸所述本體區（3），所述擴散阻擋層（20.1）被布置在它們之間，

并且其中，所述本體接觸區（7）的摻雜與所述本體區（3）的摻雜相比具有相同的導電類型但具有更高的濃度，

并且其中，所述導電區（8）具有接觸區（8.1），其形成朝向所述本體接觸區（7）的電接觸，所述導電區（8）的所述接觸區（8.1）被豎直地布置在所述溝道區（3.1）的上端（25.1）上方。

2.根據權利要求1所述的半導體晶體管器件（1），其中，所述導電區（8）的所述接觸區（8.1）布置在所述源極區（2）的上端（2.1）處。

3.根據權利要求1或2所述的半導體晶體管器件（1），其中，所述導電區（8）的所述接觸區（8.1）整體位于水平面（75）中。

4.根據前述權利要求中任一項所述的半導體晶體管器件（1），其中，所述本體接觸區（7）的至少下部（7.1）側向布置在所述本體區（3）旁邊。

5.根據權利要求4所述的半導體晶體管器件（1），其中，所述本體接觸區（7）的所述下部（7.1）以及所述擴散阻擋層（20.1）在所述溝道區（3.1）的整個豎直高度（26）之上豎直延伸。

6.根據權利要求4或5所述的半導體晶體管器件（1），其中，所述擴散阻擋層（20.1）布置在距所述溝道區（3.1）不大于80 nm的側向距離（27）處。

7.根據前述權利要求中任一項所述的半導體晶體管器件（1），其中，所述溝道區（3.1）具有最大100 nm的豎直高度（26）。

8.根據前述權利要求中任一項所述的半導體晶體管器件（1），包括附加的擴散阻擋層（20.2），其豎直向下限定所述本體接觸區（7），其中所述附加的擴散阻擋層（20.2）形成在布置于所述本體區（3）與所述漏極區（4）之間的漂移區（13）的上表面（13.1）處。

9.根據前述權利要求中任一項所述的半導體晶體管器件（1），其中，所述擴散阻擋層（20.1）包括或者所述擴散阻擋層（20.1，20.2）包括Si和氧摻雜Si的交替子層。

10.一種用于制造根據前述權利要求之一所述的半導體晶體管器件（1）的方法，所述方法包括以下步驟：

i）形成（81）擴散阻擋層（20.1）；

ii）以與本體區（3）相比相同的導電類型但更高的濃度來摻雜（84）本體接觸區（7）；

iii）沉積（86）導電材料以用于形成導電區（8）和接觸區（8.1）。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，在形成所述擴散阻擋層（20.1）之前，將本體接觸溝槽（50）蝕刻（80）到硅區中，此后在所述本體接觸溝槽（50）的側壁（50.1）處形成所述擴散阻擋層（20.1）。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，在蝕刻（80）所述本體接觸溝槽（50）之前，形成所述柵極區（6），包括柵極層間電介質材料的沉積，其用作用于之后的所述本體接觸溝槽（50）的蝕刻（80）的硬掩模（45）。

13.根據權利要求11或12所述的方法，其中，在形成（81）所述擴散阻擋層（20.1）之后，用未摻雜沉積的外延生長的硅（55）填充（82）所述本體接觸溝槽（50），此后通過注入到所述外延生長的硅（55）中來形成所述本體接觸區（7）。