[發明專利]包含極性基質、金屬摻雜劑和銀陰極的有機發光器件

在審

• 申請號: 202010630175.6
• 申請日: 2016-06-22
• 公開（公告）號: CN111900255A
• 公開（公告）日: 2020-11-06
• 發明（設計）人: 烏韋·戈爾弗特;卡斯滕·羅特;維金塔斯·揚庫什
• 申請（專利權）人: 諾瓦爾德股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 王潛;郭國清

本發明涉及一種包含極性基質、金屬摻雜劑和銀陰極的有機發光器件。具體地，本發明涉及一種在陽極和基本上為銀的陰極之間包含至少一個發光層的電子器件，該器件在陰極和陽極之間還包含至少一個混合層，所述混合層包含(i)至少一種基本上共價的電子傳輸基質化合物，其包含至少一個選自氧化膦基團或二唑基團的極性基團，和(ii)呈基本上元素形式的正電性元素，其選自基本上非放射性的堿金屬，堿土金屬，稀土金屬，和周期表第四周期中質子數為22、23、24、25、26、27、28、29的過渡金屬。

本申請是申請日為2016年6月22日，申請號為201680044669.8，發明名稱為“包含極性基質、金屬摻雜劑和銀陰極的有機發光器件”的中國發明專利申請的分案申請。

技術領域

本發明涉及一種包含極性基質、金屬摻雜劑和銀陰極的有機發光器件。具體地，本發明一種涉及電特性得到改進的有機發光器件，特別是包含與銀陰極相結合的改進的電子傳輸和/或電子注入層的器件和/或OLED疊層，所述OLED疊層包含改進的傳輸和/或電子注入層以及任選的改進的電荷產生層。

背景技術

在包含基于由有機化學提供的材料的至少一個部分的電子器件中，有機發光二極管(OLED)具有突出的地位。自1987年Tang等人展示高效OLED以來(C.W.Tang等，Appl.Phys.Lett.(應用物理快報)51(12)，913(1987))，OLED從有前景的候選產品發展到高端商業顯示器。OLED包含基本上由有機材料制成的一系列薄層。這些層的厚度通常在1nm到5μm范圍內。所述層通常通過真空沉積或從溶液中、例如依靠旋涂或噴印形成。

OLED在電荷載流子以電子形式從陰極注入和以空穴形式從陽極注入到布置在陰極和陽極之間的有機層之后發光。電荷載流子注入是在外加電壓、隨后在發光區中形成激子并且這些激子輻射復合的基礎上實現的。電極中的至少一個是透明或半透明的，在大多數情況下呈透明氧化物、例如氧化銦錫(ITO)或薄金屬層的形式。

在用于OLED發光層(LEL)或電子傳輸層(ETL)的基質化合物中，重要的位置具有包含至少一個選自氧化膦和二唑的極性基團的化合物。這樣的極性基團常常顯著改善半導體材料的電子注入和/或電子傳輸性質的原因尚未完全了解。認為是所述極性基團的高偶極矩起到了某種積極的作用。特別推薦用于這種用途的是包含至少一個與氧化膦基團直接連接的稠合芳族或雜芳族基團的三芳基氧化膦，例如參見JP 4 876 333 B2。在二唑基團中，特別是苯基苯并咪唑基團已被廣泛用于設計新的電子傳輸基質化合物，例如US 5 645 948中所述的TPBI，并且在兩個或更多個芳族或雜芳族環中包含與包含離域π電子的其它結構部分連接的苯并咪唑基結構部分的一些化合物目前被認為是工業標準，例如化合物LG-201(例如US 6 878 469)

自1990年代以來，對電荷傳輸半導體材料進行電摻雜以改善它們的電特性、特別是導電性是已知的，例如根據US 5 093 698 A。一種用于在通過熱真空沉積制備的ETL中進行n型摻雜的特別簡單的方法(它是目前例如在顯示器的工業制造中最常用的標準方法)是從蒸發源蒸發基質化合物并從另一個蒸發源蒸發高度正電性金屬并將它們在固體基底上共沉積。作為三芳基氧化膦基質化合物中有用的n型摻雜劑，在JP 4 725 056 B2中推薦了堿金屬和堿土金屬，其中在給出的例子中成功地使用銫作為摻雜劑。事實上，銫作為最具正電性的金屬在基質材料選擇方面提供了最廣泛的自由度，并且可能是該引用文獻中只有銫是所選擇的n型摻雜金屬的原因。