[發明專利]一種超高純鎘晶體的制備方法

有效

• 申請號: 202010630158.2
• 申請日: 2020-07-02
• 公開（公告）號: CN111893559B
• 公開（公告）日: 2022-04-08
• 發明（設計）人: 黃杰杰;朱劉;何志達;李清宇
• 申請（專利權）人: 清遠先導材料有限公司
• 主分類號: C30B15/00
• 分類號: C30B15/00;C30B29/02;C22B17/06
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 顏希文

1.一種超高純鎘晶體的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：

(1)將原料鎘置于漏斗中，再在真空度不高于5×10^-3Pa的條件下預熱至150℃，保溫30min后在保護氣氣氛中熔化，所形成的鎘熔體沿所述漏斗的漏孔滴入坩堝中，待所述原料鎘完全熔化后將溫度穩定在320℃，保溫30min；

(2)采用垂直提拉法對所述坩堝中的鎘熔體進行提純，得到晶體產品；

所述晶體產品即為超高純鎘晶體，或者將所述晶體產品重復步驟(1)-(2)的處理1次以上，即得超高純鎘晶體；

所述垂直提拉法包括以下步驟：先將鎘籽晶置于所述坩堝中的鎘熔體上方10mm處預熱10min，再在所述鎘籽晶和所述坩堝反向旋轉的條件下，使所述鎘籽晶與所述坩堝中的鎘熔體接觸，待所述鎘籽晶與所述坩堝中的鎘熔體接觸部分熔為一體后，依次經引晶、放肩、轉肩、等徑生長處理，然后在所述坩堝內物料剩余10％時停止晶體生長，冷卻，得到所述晶體產品，其中，所述鎘籽晶的轉速為10r/min，所述坩堝的轉速為8r/min；所述引晶的速度為10mm/min，所述引晶的長度為2cm；所述放肩的速度為5mm/h；所述轉肩的速度為15mm/h；所述等徑生長的速度為15mm/h；

所述超高純鎘晶體為單晶。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述原料鎘的純度為5N，所述重復步驟(1)-(2)的處理的次數為1～2次。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述漏斗和所述坩堝均為石英材質，所述漏斗和所述坩堝的表面均鍍有熱解碳膜。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述漏斗的漏孔為1～2mm。