[發(fā)明專利]一種長傳輸距離Tamm等離激元脊形波導(dǎo)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010629823.6 | 申請日： | 2020-07-03 |
| 公開（公告）號： | CN111880260B | 公開（公告）日： | 2022-08-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陸云清;蘇寧杰;許炯;許吉;王瑾 | 申請（專利權(quán)）人： | 南京郵電大學(xué) |
| 主分類號： | G02B6/122 | 分類號： | G02B6/122 |
| 代理公司： | 南京蘇科專利代理有限責(zé)任公司 32102 | 代理人： | 姚姣陽 |
| 地址： | 210012 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 傳輸 距離 tamm 離激元 脊形波導(dǎo) | ||
1.一種長傳輸距離Tamm等離激元脊形波導(dǎo)，其特征在于：包括襯底（1）以及設(shè)置于所述襯底（1）上的脊形波導(dǎo)結(jié)構(gòu)；所述脊形波導(dǎo)結(jié)構(gòu)由貴金屬層（2）以及光子晶體（3）組成，所述光子晶體（3）設(shè)置于所述襯底（1）與所述貴金屬層（2）二者之間；所述光子晶體（3）為多層結(jié)構(gòu)、由自上而下交替層疊設(shè)置的高折射率介質(zhì)層（31）及低折射率介質(zhì)層（32）組成，所述高折射率介質(zhì)層（31）的折射率為2~4，所述低折射率介質(zhì)層（32）的折射率為0.5~1.5，TM偏振光入射時，Tamm等離激元模式傳輸距離可以達到1180μm；TE偏振光入射時，Tamm等離激元模式傳輸距離可以達到331μm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種長傳輸距離Tamm等離激元脊形波導(dǎo)，其特征在于：所述貴金屬層（2）的材質(zhì)為金或銀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種長傳輸距離Tamm等離激元脊形波導(dǎo)，其特征在于：所述高折射率介質(zhì)層（31）的材質(zhì)為TiO2，所述低折射率介質(zhì)層（32）的材質(zhì)為SiO2；所述高折射率介質(zhì)層（31）的折射率為2.430，所述低折射率介質(zhì)層（32）的折射率為1.457。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種長傳輸距離Tamm等離激元脊形波導(dǎo)，其特征在于：在所述光子晶體（3）的多層結(jié)構(gòu)中，位于最頂層的介質(zhì)層與位于最低層的介質(zhì)層相同、二者均為所述高折射率介質(zhì)層（31）。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種長傳輸距離Tamm等離激元脊形波導(dǎo)，其特征在于：所述貴金屬層（2）、所述高折射率介質(zhì)層（31）以及所述低折射率介質(zhì)層（32）三者的厚度均小于所述長傳輸距離Tamm等離激元脊形波導(dǎo)使用過程中的入射光波長。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種長傳輸距離Tamm等離激元脊形波導(dǎo)，其特征在于：所述光子晶體（3）的周期數(shù)為5~10。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種長傳輸距離Tamm等離激元脊形波導(dǎo)，其特征在于：所述光子晶體（3）的周期數(shù)為7。
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