[發明專利]一種隱身抗毀屏蔽材料及其制備方法

有效

• 申請號: 202010629528.0
• 申請日: 2020-07-03
• 公開（公告）號: CN111516340B
• 公開（公告）日: 2020-09-22
• 發明（設計）人: 郟保琪;蔣博;周永江;陳超;陶名揚;熊幫輝
• 申請（專利權）人: 寧波曙翔新材料股份有限公司
• 主分類號: B32B27/30
• 分類號: B32B27/30;B32B27/40;B32B17/04;B32B27/04;B32B27/32;B32B27/06;B32B27/12;B32B7/12;B32B15/14;B32B9/00;B32B9/04;B32B27/38;B32B33/00
• 代理公司: 長沙國科天河知識產權代理有限公司 43225
• 代理人: 邱軼

1.一種隱身抗毀屏蔽材料，其特征在于：為依次堆疊連接的蒙皮層（1）、吸波泡沫層（2）、抗毀層（3）、電磁屏蔽增強層（4）和反射層（5）形成的整體層狀結構，其厚度為25-40mm；

所述的蒙皮層（1）為石英纖維、芳綸纖維、玻璃纖維中的一種形成的增強樹脂基復合材料制作得到；蒙皮層（1）相對介電常數在2-5之間，厚度在0.2-0.5mm之間；

所述的吸波泡沫層（2）為多層泡沫疊加復合而成，每一層泡沫厚度按照設計要求不同，厚度范圍為0.5mm-5.0mm，除靠近蒙皮層（1）的第一層外，每一層泡沫表面覆蓋有吸波材料（7）；所述泡沫為PMI、PVC、PU中的一種或多種的復合；

所述的抗毀層（3）為單層防彈板，選自高密度聚乙烯防彈板，其厚度為14.0mm，靠近吸波泡沫層（2）的單層防彈板上覆蓋有吸波材料（7）；

所述的電磁屏蔽增強層（4）為鎳網、坡莫合金或鎳片，其厚度為0.1-0.5mm；

所述的反射層（5）為碳纖維層，其厚度為0.1-1.0mm；

覆蓋在泡沫表面或單層防彈板上的所述的吸波材料（7）為電阻薄膜或者磁性材料薄膜，其方阻范圍為10-500Ω/□，薄膜的厚度為0.01-0.20mm，每一層的方阻和薄膜厚度為相同或者不同，且在吸波材料（7）上制備周期排列的鏤空結構圖案。

2.根據權利要求1所述的一種隱身抗毀屏蔽材料，其特征在于：所述的在吸波材料（7）上制備周期排列的鏤空結構圖案，是采用絲網印刷或激光切割工藝在電阻薄膜或者磁性材料薄膜上制備周期排列的鏤空結構圖案。

3.根據權利要求1所述的一種隱身抗毀屏蔽材料，其特征在于：所述一種隱身抗毀屏蔽材料的各層之間、層內部的多層之間，均通過低介電樹脂進行粘合連接，粘合連接工藝為真空導入或者模壓工藝。

4.根據權利要求1-3任一所述的一種隱身抗毀屏蔽材料的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

1）將丙酮和硅烷偶聯劑配成混合溶液，兩者質量百分比為100:1，并在室溫條件下將電磁屏蔽增強層（4）置于混合溶液浸泡20-40min進行活性處理；

2）將單層防彈板上靠近吸波泡沫層（2）一側的表面設置有吸波材料（7），并在吸波材料（7）上制備周期排列的鏤空結構圖案，另一側進行表面粗化處理；

3）吸波泡沫層（2）除靠近蒙皮層（1）的第一層外，其余吸波泡沫層（2）的每一層上靠近蒙皮層（1）一側的表面上設置有吸波材料（7），并在每一層吸波材料（7）上制備周期排列的鏤空結構圖案；

4）將步驟1）浸泡后的電磁屏蔽增強層（4）鋪設在反射層（5）表面，然后依次從下至上將步驟2）處理好的單層防彈板、步驟3）處理好的吸波泡沫層（2）的每一層和蒙皮層（1）按照設計要求進行鋪層，每層涂抹低介電樹脂待固化成型；

5）將步驟4）待固化成型的隱身抗毀屏蔽材料在常溫條件下壓制，壓制完成后取出，得到隱身抗毀屏蔽材料。

5.根據權利要求4所述的一種隱身抗毀屏蔽材料的制備方法，其特征在于：步驟1）所述的浸泡，浸泡時間為30min。

6.根據權利要求4所述的一種隱身抗毀屏蔽材料的制備方法，其特征在于：步驟4）所述的每層涂抹低介電樹脂待固化成型，其中的低介電樹脂選自乙烯基樹脂或環氧樹脂。

7.根據權利要求4所述的一種隱身抗毀屏蔽材料的制備方法，其特征在于：步驟5）所述的壓制，壓制時間為24h。