[發(fā)明專利]一種具備紅外激光兼容偽裝功能的智能變色柔性器件

在審

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• 申請日: 2020-07-02
• 公開（公告）號: CN111752062A
• 公開（公告）日: 2020-10-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王龍;汪劉應(yīng);劉顧;唐修檢;袁曉靜;田欣利;許可俊
• 申請（專利權(quán)）人: 中國人民解放軍火箭軍工程大學(xué)
• 主分類號: G02F1/155
• 分類號: G02F1/155;G02F1/1516;G02F1/153;G02F1/01;G02F1/00
• 代理公司: 西安嘉思特知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61230
• 代理人: 劉長春

本發(fā)明涉及一種具備紅外激光兼容偽裝功能的智能變色柔性器件，包括：缺陷態(tài)光子晶體層和設(shè)置在其上的柔性致變色結(jié)構(gòu)，其中，缺陷態(tài)光子晶體層的結(jié)構(gòu)為B[AB]ⁿB[AB]ⁿA中心摻雜態(tài)光子晶體膜系結(jié)構(gòu)，其中，n表示A膜層和B膜層交替排列的周期次數(shù)，2≤n≤4；A膜層與B膜層滿足以下條件：n_Ad_A＝2650±25nm、n_Bd_B＝2650±25nm、n_Ad_A+n_Bd_B＝5300nm、n_A＜n_B，其中，n_A表示A膜層的折射率，n_B表示B膜層的折射率，d_A表示A膜層的厚度，d_B表示B膜層的厚度。本發(fā)明的智能變色柔性器件，在柔性致變色結(jié)構(gòu)的下表面設(shè)置有缺陷態(tài)光子晶體層，發(fā)揮了致變色材料與超構(gòu)材料的協(xié)同作用，形成優(yōu)勢互補(bǔ)的光電器件，可以實(shí)現(xiàn)紅外、激光、可見光兼容隱身功能。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于光電器件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種具備紅外激光兼容偽裝功能的智能變色柔性器件。

背景技術(shù)

隱身技術(shù)是躲避摧毀與達(dá)成突襲的重要手段，成為世界各國武器裝備高新技術(shù)之一。當(dāng)前武器裝備的精確制導(dǎo)與探測技術(shù)主要采用雷達(dá)、紅外、激光、高光譜等手段，其中紅外、激光、可見光都屬于光學(xué)范疇。然而，現(xiàn)有隱身技術(shù)大都只對單一光波波段探測手段有效，卻無法同時(shí)應(yīng)對激光探測、紅外探測、光譜探測等多種手段的聯(lián)合探測。此外，現(xiàn)有的隱身技術(shù)大都屬于靜態(tài)偽裝，在特定的戰(zhàn)場背景環(huán)境下能起到較好的隱藏偽裝效果，但又無法在裝備機(jī)動(dòng)過程中適應(yīng)差異化的多域復(fù)雜背景變化，因此靜態(tài)隱身技術(shù)已逐漸不能滿足未來戰(zhàn)場動(dòng)態(tài)偽裝需求。

由于當(dāng)前多模復(fù)合制導(dǎo)技術(shù)和探測手段，尤其是以激光和紅外復(fù)合探測為主，而現(xiàn)在兼容型隱身技術(shù)研究范疇的難點(diǎn)之一就是無法解決紅外隱身與激光隱身的兼容性。鑒于此，世界各軍事強(qiáng)國都在熱衷于“變色龍”模式的自適應(yīng)隱身技術(shù)研究，電致變色材料、光致變色材料、熱致變色材料等智能材料及器件被不斷研發(fā)出來，但目前研發(fā)出的材料還存在紅外調(diào)控能力差、變色功能單一等缺點(diǎn)。

因此，提供一種具備紅外、可見光與激光兼容型自適應(yīng)隱身功能的光電器件，具有非常重要的工程實(shí)用價(jià)值。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，本發(fā)明提供了一種具備紅外激光兼容偽裝功能的智能變色柔性器件。本發(fā)明要解決的技術(shù)問題通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

本發(fā)明提供了一種具備紅外激光兼容偽裝功能的智能變色柔性器件，包括：缺陷態(tài)光子晶體層和設(shè)置在其上的柔性致變色結(jié)構(gòu)，其中，

所述缺陷態(tài)光子晶體層的結(jié)構(gòu)為B[AB]ⁿB[AB]ⁿA中心摻雜態(tài)光子晶體膜系結(jié)構(gòu)，其中，n表示A膜層和B膜層交替排列的周期次數(shù)，2≤n≤4；

所述A膜層與所述B膜層滿足以下條件：

其中，n_A表示A膜層的折射率，n_B表示B膜層的折射率，d_A表示A膜層的厚度，d_B表示B膜層的厚度。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述柔性致變色結(jié)構(gòu)為柔性電致變色器件或光致變色膜結(jié)構(gòu)。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述A膜層和所述B膜層的材料為ZnS、ZnSe、PbTe、Al₂O₃、SiO₂、Si₃N₄、MgF₂或PbF₂光學(xué)薄膜材料。