[發(fā)明專利]一種LED芯片的制作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010628160.6
• 申請日: 2020-07-01
• 公開（公告）號: CN111710768A
• 公開（公告）日: 2020-09-25
• 發(fā)明（設計）人: 吳奇隆;蔡和勛;王洪占;劉英策
• 申請（專利權）人: 廈門乾照光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/46
• 分類號: H01L33/46;H01L33/06;H01L33/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李曉光

1.一種LED芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供第一襯底；

在所述第一襯底上形成外延層；

在所述外延層背離所述第一襯底的一側依次形成銀金屬層和金金屬層，構成反射鏡結構層；

進行熱處理，以使所述銀金屬層和所述金金屬層的接觸面形成預設厚度的合金層；

進行襯底轉移，并制作電極結構。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一襯底上形成外延層之后，所述制作方法還包括：

在所述外延層背離所述第一襯底的一側形成氧化物層或氟化物層。

3.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述氧化物層為SiO₂層或ITO層。

4.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述氟化物層為氟化鎂層或氟化鋁層。

5.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法還包括：

對所述氧化物層或所述氟化物層進行挖孔處理；

形成P型歐姆接觸層，所述P型歐姆接觸層通過所述氧化物層或所述氟化物層與所述外延層連接。

6.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，在進行襯底轉移之前，所述制作方法還包括：

在所述金金屬層背離所述第一襯底的一側依次形成金屬阻障層和鍵合層。

7.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述進行襯底轉移，包括：

提供第二襯底；

將所述第二襯底與所述鍵合層進行鍵合處理；

去除所述第一襯底。

8.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述制作電極結構，包括：

在所述外延層背離所述第二襯底的一側形成N電極；

對所述第二襯底進行減薄處理，并在所述第二襯底背離所述外延層的一側形成P電極。

9.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述熱處理的溫度為300℃-500℃。

10.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法還包括：

采用奈秒或皮秒紫外激光設備以正面燒熔切割的方式，沿著預留切割道進行切割，形成單獨的LED芯片單元；

其中，在激光正面切割后，所述LED芯片單元反射鏡結構層的側壁均為合金層。

11.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述銀金屬層的厚度為500埃-1500埃。

12.根據權利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述金金屬層的厚度為所述銀金屬層厚度的二倍以上。