[發明專利]OLED顯示面板及其制作方法有效
| 申請號: | 202010626632.4 | 申請日: | 2020-07-02 |
| 公開(公告)號: | CN111710710B | 公開(公告)日: | 2021-11-23 |
| 發明(設計)人: | 黃輝 | 申請(專利權)人: | TCL華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 高楊麗 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 顯示 面板 及其 制作方法 | ||
一種OLED顯示面板及其制作方法,OLED顯示面板包括:沿第一方向層疊設置的濾光層與發光層;濾光層沿第一方向依次層疊設置有:襯底基板、第一光耦合層以及彩色濾光片;發光層沿所述第一方向依次層疊設置有:第二光耦合層、第一電極、發光功能層、空穴傳輸層以及第二電極;有益效果為:首先,本申請提供的OLED顯示面板,在所述濾光層中設置所述第一光耦合層,所述發光層中設置所述第二光耦合層,減小所述OLED顯示面板內部的光損失,提高了所述OLED顯示面板的出光率;然后,本申請提供的OLED顯示面板的制作方法,對于所述第一光耦合層與所述第二光耦合層,不限于單一的蒸鍍方式進行制備,還可以采用涂布或是打印的方式進行制備,有利于后續的商業化生產。
技術領域
本申請涉及顯示領域,特別是涉及一種OLED顯示面板及其制作方法。
背景技術
目前OLED(Organic Light-Emitting Diode,有機發光二極管)器件的發光效率較低,且在制備WOLED(White Organic Light-Emitting Diode,白光有機發光二極管)器件的時候,需要經過彩色濾光片進行濾光,以得到更好的發光色度。
同時,由于界面折射率的關系,在發光過程中會發生全反射,大部分的光由于在內部進行折射或反射,而無法有效的提取出來,導致光損失較多,而目前使用較多的光提取的方法,是在器件內部及玻璃基板內部進行改進,或者直接在外部增加相應的出光裝置,但是這種方法實施起來比較有難度。也有一些方法會采用在發光層的陰極上制備一層光耦合層(Capping Layer,CPL),用于改變發光層與玻璃基板之間的折射率,使全反射的效應降低,使得更多的光可以出射到空氣中。但是這種方法的缺點是只能采用蒸鍍的方式進行制備,且當使用彩色濾光片作為蓋板的時候,從玻璃基板發射的光會通過彩色濾光片進行過濾進一步出光,會使得光耦合層的作用降低。
因此,現有的OLED顯示面板技術中,還存在著OLED顯示面板在發光時會發生全反射,光損失較多,增加出光裝置實施有難度,而在發光層中設置光耦合層只能采用蒸鍍的方式制備,且經過彩色濾光片之后會使得光耦合作用降低的問題,急需改進。
發明內容
本申請涉及一種OLED顯示面板及其制作方法,用于解決現有技術中存在著OLED顯示面板在發光時會發生全反射,光損失較多,增加出光裝置實施有難度,而在發光層中設置光耦合層只能采用蒸鍍的方式制備,且經過彩色濾光片之后會使得光耦合作用降低的問題。
為解決上述問題,本申請提供的技術方案如下:
本申請提供的一種OLED顯示面板,所述OLED顯示面板包括:沿第一方向層疊設置的濾光層與發光層;
所述濾光層沿所述第一方向依次層疊設置有:襯底基板、第一光耦合層以及彩色濾光片;
所述發光層沿所述第一方向依次層疊設置有:第二光耦合層、第一電極、發光功能層、空穴傳輸層以及第二電極。
根據本申請提供的一種實施例,所述第一光耦合層與所述第二光耦合層的折射率相同,所述第一光耦合層的折射率小于所述彩色濾光片的折射率,且大于所述襯底基板的折射率。
根據本申請提供的一種實施例,沿所述第一方向的出光方向,所述第一光耦合層與所述第二光耦合層的折射率遞減。
根據本申請提供的一種實施例,所述第一光耦合層與所述第二光耦合層沿所述第一方向的厚度相同,所述第一光耦合層與所述第二光耦合層沿所述第一方向均具有一定的預設厚度。
根據本申請提供的一種實施例,所述第一光耦合層與所述第二光耦合層沿所述第一方向的預設厚度為:15-200nm。
根據本申請提供的一種實施例,所述第一光耦合層的厚度與所述第一光耦合層的折射率成反比,所述第二光耦合層的厚度與所述第二光耦合層的折射率成反比。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





