[發明專利]磁吸附機構、蒸鍍裝置及電子器件的制造裝置在審
| 申請號: | 202010626576.4 | 申請日: | 2020-07-02 |
| 公開(公告)號: | CN112185876A | 公開(公告)日: | 2021-01-05 |
| 發明(設計)人: | 宮崎圭介;江澤光晴 | 申請(專利權)人: | 佳能特機株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/67;C23C14/04;C23C14/12;C23C14/24;C23C14/54 |
| 代理公司: | 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038 | 代理人: | 李雙亮 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 吸附 機構 裝置 電子器件 制造 | ||
本發明提供能夠簡便且高精度地調整相對于掩模的吸附力分布的技術。提供一種磁吸附機構,所述磁吸附機構使用磁力使掩模吸附于成膜對象物的表面,所述掩模用于對成膜對象物形成所期望的成膜圖案,其中,所述磁吸附機構具備:多個磁鐵,所述多個磁鐵相對于成膜對象物配置在與掩模相反的一側;以及背軛,所述背軛安裝有多個磁鐵,并形成磁回路,所述磁回路利用磁鐵的磁力而產生在朝向成膜對象物的方向上吸引掩模的吸附力,背軛在與磁鐵的磁化方向上的端面接觸的接觸部具有磁阻調整部,所述磁阻調整部通過在與端面的一部分之間形成幅度可變的空間,或者通過使端面的一部分向接觸部的內側開放,從而能夠對吸附力進行調整。
技術領域
本發明涉及利用磁力使掩模吸附于成膜對象物的磁吸附機構。
背景技術
在有機EL元件等電子器件的制造中,已知有如下方法:作為成膜對象物,使玻璃等基板的被成膜面朝下地載置在掩模上,并經由掩模在被成膜面上成膜。在膜的品質方面,需要使膜厚均勻地進行成膜,為此,需要使基板與掩模緊貼地進行成膜。
因此,在專利文獻1中記載了如下方法:利用在作為基板的支承構件的保持構件設置有多個的磁鐵的磁力,使掩模吸引于基板并進行成膜。
在先技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本專利第4257497號公報
然而,由于伴隨著基板的大型化,用于利用磁力使掩模吸附于基板的磁鐵的數量增加,因此,由于各自的磁力偏差、組裝精度的偏差,有時會成為相對于掩模的吸附力分布未收斂到所期望的范圍內的狀態。像這樣,若成為相對于掩模的吸附力分布未收斂到所期望的范圍內的狀態,則在將掩模吸附于基板時,由于磁力的偏差,會以意料之外的吸附方式吸附掩模,因此,會在掩模與基板之間產生間隙。因此,即使利用專利文獻1記載的方法,有時也會局部地在掩模與基板之間產生間隙。若以在掩模與基板之間產生了間隙的狀態進行成膜,則由于會導致膜厚的偏差,所以要求改善。
因此,有為了抑制各個磁鐵的磁力偏差而進行磁鐵的選擇的方法,但由于為了選擇需要數量的磁鐵而需要更多的磁鐵,所以磁鐵的成本增大。另外,有為了調整各自的磁力而在磁鐵與軛部之間插入墊片等的方法,但由于需要對龐大數量的磁鐵進行“磁鐵的拆卸、墊片的插入、磁鐵的再次安裝、磁力的測定”這一系列的作業,所以作業成本增大。
發明內容
本發明的目的在于提供能夠簡便且高精度地調整相對于掩模的吸附力分布的技術。
為了達成上述目的,本發明的磁力式吸附機構使用磁力使掩模吸附于成膜對象物的表面,所述掩模用于對所述成膜對象物形成所期望的成膜圖案,其特征在于,所述磁吸附機構具備:
多個磁鐵,所述多個磁鐵相對于所述成膜對象物配置在與所述掩模相反的一側;以及
背軛,所述背軛安裝有多個所述磁鐵,并形成磁回路,所述磁回路利用所述磁鐵的磁力而產生在朝向所述成膜對象物的方向上吸引所述掩模的吸附力,
所述背軛在與所述磁鐵的磁化方向上的端面接觸的接觸部具有磁阻調整部,所述磁阻調整部通過在與所述端面的至少一部分之間形成幅度可變的空間,或者通過使所述端面的至少一部分向所述接觸部的內側開放,從而能夠對所述吸附力進行調整。
為了達成上述目的,本發明的磁力式吸附機構使用磁力使掩模吸附于成膜對象物的表面,所述掩模用于對所述成膜對象物形成所期望的成膜圖案,其特征在于,所述磁吸附機構具備:
多個磁鐵,所述多個磁鐵相對于所述成膜對象物配置在與所述掩模相反的一側;以及
背軛,所述背軛安裝有多個所述磁鐵,并形成磁回路,所述磁回路利用所述磁鐵的磁力而產生在朝向所述成膜對象物的方向上吸引所述掩模的吸附力,
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





