[發(fā)明專利]電阻式隨機存取存儲器及其制造方法

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• 申請日: 2020-07-02
• 公開（公告）號: CN113889569A
• 公開（公告）日: 2022-01-04
• 發(fā)明（設計）人: 許博硯;吳伯倫;郭澤綿
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;G11C13/00
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 王天堯;吳學鋒

1.一種電阻式隨機存取存儲器，其特征在于，包括：

一基底；

一第一介電層，設置于該基底上；

一底電極，設置于該第一介電層上；

一電阻轉換層，設置于該底電極上；

一氧原子交換層，設置于該電阻轉換層上，其中該氧原子交換層與該電阻轉換層的一接觸面積小于該電阻轉換層的一頂面面積；

一阻擋層，設置于該氧原子交換層上；以及

一頂電極，設置于該阻擋層上。

2.如權利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器，其特征在于，該電阻轉換層具有一左側壁及與該左側壁相對的一右側壁，且該氧原子交換層介于該左側壁及該右側壁之間。

3.如權利要求2所述的電阻式隨機存取存儲器，其特征在于，該氧原子交換層不與該左側壁及該右側壁齊平。

4.如權利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器，其特征在于，該阻擋層更覆蓋該氧原子交換層的一側壁。

5.如權利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器，其特征在于，該頂電極更覆蓋該氧原子交換層的一側壁。

6.如權利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器，其特征在于，更包括：

一第二介電層，設置于該電阻轉換層上；以及

一氮化物層，設置于該第二介電層上。

7.如權利要求6所述的電阻式隨機存取存儲器，其特征在于，該第二介電層和該氮化物層具有露出該氧原子交換層的一開口。

8.如權利要求6所述的電阻式隨機存取存儲器，其特征在于，該頂電極延伸至該氮化物層上。

9.一種電阻式隨機存取存儲器的制造方法，其特征在于，包括：

提供一基底；

形成一第一介電層于該基底上；

形成一底電極于該第一介電層上；

形成一電阻轉換層于該底電極上；

形成一氧原子交換層于該電阻轉換層上，其中該氧原子交換層與該電阻轉換層的一接觸面積小于該電阻轉換層的一頂面面積；

形成一阻擋層于該氧原子交換層上；以及

形成一頂電極于該阻擋層上。

10.如權利要求9所述的電阻式隨機存取存儲器的制造方法，其特征在于，該電阻轉換層具有一左側壁及與該左側壁相對的一右側壁，且該氧原子交換層介于該左側壁及該右側壁之間。

11.如權利要求10所述的電阻式隨機存取存儲器的制造方法，其特征在于，該氧原子交換層不與該左側壁及該右側壁齊平。

12.如權利要求9所述的電阻式隨機存取存儲器的制造方法，其特征在于，該阻擋層更覆蓋該氧原子交換層的一側壁。

13.如權利要求9所述的電阻式隨機存取存儲器的制造方法，其特征在于，該頂電極更覆蓋該氧原子交換層的一側壁。

14.如權利要求9所述的電阻式隨機存取存儲器的制造方法，其特征在于，更包括：

形成一第二介電層于該電阻轉換層上；以及

形成一氮化物層于該第二介電層上。

15.如權利要求14所述的電阻式隨機存取存儲器的制造方法，其特征在于，該第二介電層和該氮化物層具有露出該氧原子交換層的一開口。

16.如權利要求14所述的電阻式隨機存取存儲器的制造方法，其特征在于，該頂電極延伸至該氮化物層上。