[發(fā)明專利]半導體制作工藝

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202010626386.2
• 申請日: 2020-07-01
• 公開（公告）號: CN113889397A
• 公開（公告）日: 2022-01-04
• 發(fā)明（設計）人: 梁絲萍
• 申請（專利權）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種半導體制作工藝，包括：

第一供力步驟，其對供應至晶片的晶片表面上的清洗液提供第一固定離心力；及

第二供力步驟，其對供應至該晶片表面上的該清洗液提供第二固定離心力，其中該第二供力步驟是在該第一供力步驟之后，該第二固定離心力是大于該第一固定離心力。

2.如權利要求1所述的半導體制作工藝，還包括力增強步驟，其將提供至該晶片表面上的該清洗液的離心力從該第一固定離心力增強至該第二固定離心力。

3.如權利要求2所述的半導體制作工藝，其中提供至該晶片表面上的該清洗液的該離心力從該第一固定離心力線性增強至該第二固定離心力。

4.如權利要求1所述的半導體制作工藝，其中該第一供力步驟與該第二供力步驟是通過旋轉該晶片進行。

5.如權利要求1所述的半導體制作工藝，其中該第一供力步驟是通過以第一轉速旋轉該晶片進行，該第二供力步驟是通過以第二轉速旋轉該晶片進行，該第二轉速是快于該第一轉速。

6.如權利要求5所述的半導體制作工藝，其中該第二轉速對于該第一轉速的比值為大于1，且為小于或等于4。

7.如權利要求5所述的半導體制作工藝，其中該第一轉速為100～400rpm。

8.如權利要求1所述的半導體制作工藝，其中該清洗液是由設置在鄰近該晶片的邊緣的噴嘴所供應。

9.如權利要求1所述的半導體制作工藝，還包括在該第二供力步驟之后，對該晶片進行化學機械研磨步驟。

10.如權利要求1所述的半導體制作工藝，其為去除晶片邊緣和斜角上薄膜的制作工藝。

11.如權利要求1所述的半導體制作工藝，其中該晶片包括半導體基板及含金屬的膜在該半導體基板上。

12.一種半導體制作工藝，包括：

在第一時段期間進行第一旋轉步驟與清洗液供應步驟，其中該第一旋轉步驟是以第一固定轉速旋轉晶片，該清洗液供應步驟是供應一清洗液至該晶片的晶片表面上；及

然后，在第二時段期間進行第二旋轉步驟與該清洗液供應步驟，其中該第二旋轉步驟是以第二固定轉速旋轉該晶片，該第二固定轉速是快于該第一固定轉速。

13.如權利要求12所述的半導體制作工藝，還包括加速步驟，其將該晶片的轉速從該第一固定轉速加速至該第二固定轉速。

14.如權利要求12所述的半導體制作工藝，其中該第二固定轉速對于該第一固定轉速的比值為大于1，且為小于或等于4。

15.如權利要求12所述的半導體制作工藝，其中該第一固定轉速為100～400rpm。

16.如權利要求12所述的半導體制作工藝，其中該清洗液是由設置在鄰近該晶片的邊緣的噴嘴所供應。

17.如權利要求12所述的半導體制作工藝，還包括在該第二旋轉步驟之后，對該晶片進行化學機械研磨步驟。

18.如權利要求12所述的半導體制作工藝，其為晶片邊緣和斜角上薄膜的去除制作工藝。

19.如權利要求12所述的半導體制作工藝，其中該晶片包括半導體基板及含金屬的膜在該半導體基板上。

20.如權利要求12所述的半導體制作工藝，其中該清洗液供應步驟是供應該清洗液至該晶片的邊緣的該晶片表面上。