[發明專利]氮化硅膜蝕刻溶液及使用其的半導體器件的制備方法

在審

• 申請號: 202010626275.1
• 申請日: 2020-07-01
• 公開（公告）號: CN112216607A
• 公開（公告）日: 2021-01-12
• 發明（設計）人: 柳浩成;金明炫;李浚銀
• 申請（專利權）人: OCI有限公司
• 主分類號: H01L21/3105
• 分類號: H01L21/3105
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 呂琳;宋東穎

1.一種氮化硅膜蝕刻溶液，其特征在于，

包含：

磷酸水溶液；以及

硅添加劑，

上述硅添加劑包含球形的第一膠體二氧化硅以及第二膠體二氧化硅粒子，

以相同體積為基準，相對于上述球形的第一膠體二氧化硅粒子的表面積，上述第二膠體二氧化硅粒子的表面積大于100％且124％以下，

包含在上述硅添加劑中的上述第二膠體二氧化硅粒子的含量為50％以上。

2.根據權利要求1所述的氮化硅膜蝕刻溶液，其特征在于，以相同體積為基準，相對于上述球形的第一膠體二氧化硅粒子的表面積，上述第二膠體二氧化硅粒子的表面積110％以上且124％以下。

3.根據權利要求1所述的氮化硅膜蝕刻溶液，其特征在于，上述氮化硅膜蝕刻溶液包含100ppm至100000ppm的上述硅添加劑。

4.根據權利要求1所述的氮化硅膜蝕刻溶液，其特征在于，上述氮化硅膜蝕刻溶液還包含選自氟化氫、氟化銨、二氟化銨以及氟化氫銨中的至少一種含氟化合物。

5.根據權利要求1所述的氮化硅膜蝕刻溶液，其特征在于，上述氮化硅膜蝕刻溶液還包含具有有機類陽離子和氟類陰離子具有離子鍵合形態的含氟化合物。

6.根據權利要求5所述的氮化硅膜蝕刻溶液，其特征在于，上述有機類陽離子為選自烷基咪唑鎓、二烷基咪唑鎓、烷基吡啶鎓、烷基吡咯烷鎓、烷基磷鎓、烷基嗎啉鎓以及烷基哌啶鎓中的至少一種。

7.根據權利要求5所述的氮化硅膜蝕刻溶液，其特征在于，上述氟類陰離子為選自氟磷酸鹽、氟烷基-氟磷酸鹽、氟硼酸鹽以及氟烷基-氟硼酸鹽中的至少一種。

8.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，包括通過使用權利要求1所述的氮化硅膜蝕刻溶液來進行蝕刻工序。