[發明專利]包括頁緩沖器的半導體存儲器裝置

在審

• 申請號: 202010625941.X
• 申請日: 2020-07-02
• 公開（公告）號: CN113129970A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 吳星來;金東赫;樸泰成;丁壽男
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C16/04
• 分類號: G11C16/04;G11C16/10;G11C7/10;H01L27/1157;H01L27/11582;H01L27/11575;H01L27/11573
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

1.一種半導體存儲器裝置，該半導體存儲器裝置包括：

多個頁緩沖器，所述多個頁緩沖器限定在基板的多個有源區域中；以及

多條布線，所述多條布線設置在所述多個頁緩沖器上方，并且通過多個觸點聯接到所述多個頁緩沖器，

其中，所述多條布線包括聯接到所述多個觸點的多個接觸部分，并且所述多條布線彎曲以使得所述多個接觸部分朝著所述多個有源區域的中心線偏移。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，

所述多個頁緩沖器布置在與第一方向交叉的第二方向上，

所述多條布線布置在所述第二方向上，并且

所述多個接觸部分在所述第二方向上偏移。

3.根據權利要求2所述的半導體存儲器裝置，其中，所述多條布線中的每一條包括在所述第一方向上延伸的至少兩個筆直部分以及將所述至少兩個筆直部分彼此連接的傾斜部分，并且

其中，所述多個接觸部分中的一個被包括在所述至少兩個筆直部分中的一個筆直部分中，所述一個筆直部分在所述第二方向上相對于所述至少兩個筆直部分中的其它筆直部分朝著所述有源區域的所述中心線偏移。

4.根據權利要求3所述的半導體存儲器裝置，其中，所述多條布線的多個傾斜部分的間距小于所述多條布線的多個筆直部分的間距。

5.根據權利要求3所述的半導體存儲器裝置，其中，多個所述傾斜部分中的一個傾斜部分在所述第二方向上的寬度小于所述至少兩個筆直部分中的一個筆直部分在所述第二方向上的寬度。

6.根據權利要求3所述的半導體存儲器裝置，其中，多個所述傾斜部分是相對于所述筆直部分以傾斜角度延伸的線。

7.根據權利要求3所述的半導體存儲器裝置，其中，多個所述傾斜部分各自具有階梯結構，其中相對于所述筆直部分以傾斜角度延伸的至少兩條線通過在所述第一方向上延伸的直線連接器連接。

8.根據權利要求2所述的半導體存儲器裝置，其中，

各個所述頁緩沖器包括鎖存電路，該鎖存電路具有非反相節點和反相節點，所述非反相節點存儲并保持非反相數據，所述反相節點存儲并保持反相數據，

所述布線包括非反相數據線和反相數據線，所述非反相數據線聯接到所述頁緩沖器的鎖存電路的非反相節點，所述反相數據線聯接到所述頁緩沖器的所述鎖存電路的反相節點，并且

所述非反相數據線和所述反相數據線在所述第二方向上交替地設置。

9.一種半導體存儲器裝置，該半導體存儲器裝置包括：

多個晶體管，所述多個晶體管限定在基板的有源區域中，并且配置多個頁緩沖器；以及

多條布線，所述多條布線設置在所述多個晶體管上方，并且通過多個觸點聯接到所述多個晶體管，

其中，所述多條布線中的每一條包括至少兩個筆直部分以及將所述至少兩個筆直部分彼此連接的傾斜部分，相鄰布線的筆直部分以第一間隔彼此間隔開，并且相鄰布線的傾斜部分以小于所述第一間隔的第二間隔彼此間隔開，并且

其中，所述多個觸點中的每一個聯接到所述多條布線中的每一條的所述至少兩個筆直部分中的一個筆直部分，并且與所述觸點聯接的所述一個筆直部分被設置為比未與所述觸點聯接的其它筆直部分更靠近各個有源區域的中心線。

10.根據權利要求9所述的半導體存儲器裝置，其中，

所述多個頁緩沖器布置在與第一方向交叉的第二方向上，并且

所述多條布線布置在所述第二方向上。

11.根據權利要求10所述的半導體存儲器裝置，其中，與所述觸點聯接的所述一個筆直部分相對于未與所述觸點聯接的其它筆直部分在所述第二方向上朝著所述有源區域的所述中心線偏移。

12.根據權利要求10所述的半導體存儲器裝置，其中，所述多條布線的傾斜部分在所述第二方向上的間距小于所述多條布線的筆直部分在所述第二方向上的間距。