[發明專利]用于存儲器裝置的低功率模式

有效

• 申請號: 202010625600.2
• 申請日: 2020-07-02
• 公開（公告）號: CN112216315B
• 公開（公告）日: 2022-02-11
• 發明（設計）人: 何源
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C5/14
• 分類號: G11C5/14;G11C7/22
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

本申請涉及用于存儲器裝置的低功率模式。存儲器裝置可以標識被配置成存儲在存儲器單元陣列中的數據的模式，并且確定所述數據模式是否滿足標準。如果數據的位中的每個位包含同一邏輯值，則所述數據模式可以滿足所述標準。如果所述數據模式滿足所述標準，則所述存儲器裝置可以：禁用所述存儲器裝置的內部總線的驅動器；將數據線與所述內部總線隔離；或者將所述數據線與電壓源耦合；或者其組合。所述存儲器裝置可以進一步基于標識所述數據模式滿足所述標準來禁用時鐘樹的信號。

交叉引用

本專利申請要求于2019年7月9日提交的題為“用于存儲器裝置的低功率模式(LOWPOWER MODE FOR A MEMORY DEVICE)”的赫(He)的美國專利申請第16/506,714號的優先權，所述美國專利申請被轉讓給本申請的受讓人并且通過全文引用的方式明確地并入本文。

技術領域

技術領域涉及用于存儲器裝置的低功率模式。

背景技術

以下總體上涉及一種包含至少一個存儲器裝置的系統，并且更具體地，涉及用于存儲器裝置的低功率模式。

存儲器裝置廣泛用于存儲如計算機、無線通信裝置、相機、數字顯示器等各種電子裝置中的信息。通過對存儲器裝置的不同狀態進行編程來存儲信息。例如，二進制裝置通常存儲通常由邏輯1或邏輯0表示的兩種狀態之一。在其它裝置中，可以存儲多于兩種狀態。為了存取存儲的信息，裝置的組件可以讀取或感測存儲器裝置中的至少一種存儲狀態。為了存儲信息，裝置的組件可以在存儲器裝置中寫入或編程狀態。

存在各種類型的存儲器裝置，包含磁性硬盤、隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、動態RAM(DRAM)、同步動態RAM(SDRAM)、鐵電RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻式RAM(RRAM)、閃速存儲器、相變存儲器(PCM)等。存儲器裝置可以是易失性的或非易失性的。非易失性存儲器(例如，FeRAM)即使在不存在外部電源的情況下，也可以持續延長的時間段維持其存儲的邏輯狀態。易失性存儲器裝置(例如，DRAM)在與外部電源斷開連接時可能會丟失其存儲的狀態。

改進存儲器裝置通?？梢园黾哟鎯ζ鲉卧芏?、增加讀取/寫入速度、增加可靠性、增加數據保持、降低功耗或降低制造成本以及其它度量。一些存儲器單元可以被配置成存儲多種狀態?？赡芷谕纳拼鎯ζ餮b置的帶寬(例如，在給定持續時間期間存取的數據量)。

發明內容

描述了一種方法。所述方法可以包含：由主機裝置接收由傳感器采樣的第一數據；由所述主機裝置用第二數據代替所述第一數據；將所述第二數據從所述主機裝置傳輸到存儲器裝置；由所述存儲器裝置確定所述第二數據的模式滿足標準；基于所述確定所述第二數據的所述模式滿足所述標準來禁用所述存儲器裝置的內部總線的驅動器；以及基于所述禁用所述存儲器裝置的所述內部總線的所述驅動器來將第三數據存儲在所述存儲器裝置的存儲器單元陣列處，其中所述第三數據基于所述第二數據，并且所述第三數據的模式滿足所述標準。

描述了一種方法。所述方法可以包含：標識被配置成存儲在存儲器裝置的存儲器單元陣列中的數據的模式滿足標準；基于標識所述數據模式滿足所述標準來禁用所述存儲器裝置的內部總線的驅動器；基于標識所述數據模式滿足所述標準來將所述存儲器單元陣列的數據線與所述存儲器裝置的所述內部總線隔離；以及基于隔離所述數據線來將所述存儲器單元陣列的所述數據線與電壓源耦合。

描述了一種存儲器裝置。所述存儲器裝置可以包含：存儲器單元陣列，所述存儲器單元陣列被配置成存儲數據；內部總線；數據線，所述數據線與所述存儲器單元陣列耦合；電壓源；以及多路復用器，所述多路復用器與所述內部總線、所述數據線和所述電壓源耦合，其中所述多路復用器被配置成基于數據模式是否滿足標準來將所述數據線耦合到所述內部總線或所述電壓源。