[發明專利]銦柱焊點的制備方法、芯片襯底及芯片

有效

• 申請號: 202010624967.2
• 申請日: 2020-07-01
• 公開（公告）號: CN112652540B
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發明（設計）人: 張文龍;楊楚宏;鄭亞銳;張勝譽
• 申請（專利權）人: 騰訊科技（深圳）有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 張所明

1.一種銦柱焊點的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

在襯底上涂敷第一光刻膠層之后，進行第一烘烤；

在所述第一光刻膠層上涂敷第二光刻膠層之后，進行第二烘烤；

采用掩膜覆蓋所述第二光刻膠層表面的部分區域，對所述第二光刻膠層未被所述掩膜覆蓋的區域進行欠曝光之后，進行第三烘烤；

對經所述欠曝光和所述第三烘烤后的所述第二光刻膠層進行顯影和定影，以去除可溶解的光刻膠，在所述第二光刻膠層上形成底切結構，所述襯底帶有光刻膠結構；其中，所述光刻膠結構包括所述第一光刻膠層和帶有所述底切結構的第二光刻膠層；

對帶有光刻膠結構的所述襯底進行泛曝光之后，進行第四烘烤；

在經所述泛曝光和所述第四烘烤之后，透過所述底切結構刻蝕所述第一光刻膠層形成圖形限制層；

在所述圖形限制層的定義圖形位置處沉積銦材料，形成銦柱焊點；

將所述第一光刻膠層和所述第二光刻膠層從所述襯底上剝離，得到帶有所述銦柱焊點的襯底。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述欠曝光的曝光時間小于所述第二光刻膠層充分曝光的曝光時間。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，對所述第二光刻膠層進行顯影的顯影時間t1，大于所述第二光刻膠層在充分曝光條件下的顯影時間t2。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，t1≥t2+15秒。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，用于對所述第二光刻膠層進行顯影的顯影液，與所述第一光刻膠層不發生反應。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述圖形限制層的定義圖形位置處沉積銦材料，形成銦柱焊點，包括：

采用蒸發方法在帶有所述底切結構的第二光刻膠層上和暴露的襯底上沉積銦材料，在所述圖形限制層的定義圖形位置處形成所述銦柱焊點。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述將所述第一光刻膠層和所述第二光刻膠層從所述襯底上剝離，得到帶有所述銦柱焊點的襯底，包括：

將沉積所述銦柱焊點的襯底置于膠剝離液中，在20～80℃的溫度下，將所述第一光刻膠層和所述第二光刻膠層從所述襯底上剝離，得到帶有所述銦柱焊點的襯底。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蝕包括以下至少一種：物理刻蝕、化學刻蝕。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一光刻膠層為單層膠，或者，所述第一光刻膠層包括多層膠。

10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二光刻膠為反轉膠或負膠。

11.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一烘烤為所述第一光刻膠層的軟烘烤溫度；

所述第二烘烤為所述第二光刻膠層的軟烘烤溫度；

所述第三烘烤為所述第二光刻膠層的前烘烤溫度；

所述第四烘烤包括依次以所述第二光刻膠層的前烘烤溫度和堅膜溫度進行烘烤。

12.一種芯片襯底，其特征在于，所述芯片襯底上帶有銦柱焊點，所述銦柱焊點是采用如權利要求1至11任一項所述方法制備得到的。

13.一種芯片，其特征在于，所述芯片的襯底上帶有銦柱焊點，所述銦柱焊點是采用如權利要求1至11任一項所述方法制備得到的。

14.根據權利要求13所述的芯片，其特征在于，所述芯片為量子芯片。

15.一種焊點制備方法，其特征在于，所述方法包括：

在襯底上涂敷第一光刻膠層；

在所述第一光刻膠層上涂敷第二光刻膠層；

采用掩膜覆蓋所述第二光刻膠層表面的部分區域，對所述第二光刻膠層未被所述掩膜覆蓋的區域進行欠曝光；

對經所述欠曝光后的所述第二光刻膠層進行顯影和定影，以去除可溶解的光刻膠，在所述第二光刻膠層上形成底切結構，所述襯底帶有光刻膠結構；其中，所述光刻膠結構包括所述第一光刻膠層和帶有所述底切結構的第二光刻膠層；

對帶有光刻膠結構的所述襯底進行泛曝光；

在經所述泛曝光之后，透過所述底切結構刻蝕所述第一光刻膠層形成圖形限制層；

在所述圖形限制層的定義圖形位置處沉積材料形成焊點；

將所述第一光刻膠層和所述第二光刻膠層從所述襯底上剝離，得到帶有所述焊點的襯底。