[發(fā)明專利]基于鉍鈉鍶鈦酸鹽的介電組合物、其介電元件、電子組件和層疊電子組件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010624911.7 | 申請日: | 2016-05-24 |
| 公開(公告)號: | CN111875373B | 公開(公告)日: | 2022-11-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 寺田智宏;堅木裕;井村智也 | 申請(專利權(quán))人: | 愛普科斯公司 |
| 主分類號: | C04B35/47 | 分類號: | C04B35/47;C04B35/475;C04B35/462;C04B35/50;H01G4/008;H01G4/12;H01G4/228;H01G4/30 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡勝有;蘇虹 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 鉍鈉鍶鈦酸鹽 組合 元件 電子 組件 層疊 | ||
1.一種介電組合物,包含主要組分和輔助組分,其中:
所述主要組分由(BiaNabSrcLnd)TiO3表示;
Ln為選自稀土元素的至少一種;
a、b、c和d滿足以下:0.100≤a≤0.400,0.100≤b≤0.400,0.100≤c≤0.700,0d≤0.100,且0.900≤a+b+c+d≤1.050;
所述輔助組分包括第一輔助組分和/或第二輔助組分;
所述第一輔助組分包含選自由Li和K組成的組中的至少一種;以及
所述第二輔助組分包含選自由Cu、Zn、Mn、Mg和Co組成的組中的至少一種。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的介電組合物,相對于100摩爾份的包含于所述主要組分中的Ti,所述介電組合物包含至少0.5摩爾份且少于7摩爾份的所述第一輔助組分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的介電組合物,相對于100摩爾份的包含于所述主要組分中的Ti,所述介電組合物包含至少0.05摩爾份且少于5摩爾份的所述第二輔助組分。
4.一種介電元件,所述介電元件是采用根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的介電組合物提供的。
5.一種電子組件,其具有包含根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的介電組合物的介電層。
6.一種層疊電子組件,其具有通過交替層疊內(nèi)部電極層和包含根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的介電組合物的介電層而形成的層疊部。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的層疊電子組件,其中使用糊劑來構(gòu)建所述內(nèi)部電極層,其特征在于用于所述內(nèi)部電極層的所述糊劑通過將導電材料與有機載體或水性載體混合而制備,所述導電材料包括在焙燒后形成所述導電材料的化合物、金屬和合金中的至少之一。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的層疊電子組件,其中所述在焙燒后形成所述導電材料的化合物涵蓋有機金屬化合物和樹脂酸鹽/酯。
9.根據(jù)權(quán)利要求6至8中任一項所述的層疊電子組件,其中所述內(nèi)部電極層的材料包括Ag、Ag-Pd合金、Ni或Cu。
10.根據(jù)權(quán)利要求6至8中任一項所述的層疊電子組件,其包括由導電材料構(gòu)建的端電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的層疊電子組件,其中所述端電極由具有Ag、Au或Cu作為主要組分的導電材料構(gòu)建。
12.根據(jù)權(quán)利要求6至8中任一項所述的層疊電子組件,其形成層疊陶瓷電容器。
13.一種生產(chǎn)層疊陶瓷電容器的方法,其中所述層疊陶瓷電容器包括根據(jù)權(quán)利要求6至12中任一項所述的層疊電子組件。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的生產(chǎn)層疊陶瓷電容器的方法,其中內(nèi)部電極和外部電極由銅形成。
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