[發(fā)明專利]基于消逝模加載的混合電磁耦合緊湊型SIW濾波器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010624808.2
• 申請日: 2020-07-02
• 公開（公告）號: CN111755784B
• 公開（公告）日: 2021-12-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 殷光強(qiáng);張俊;游長江;焦卓凡;楊丹丹;朱建華;肖倩
• 申請（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)
• 主分類號: H01P1/203
• 分類號: H01P1/203;H01P1/208
• 代理公司: 成都其高專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 51244
• 代理人: 廖曾

1.基于消逝模加載的混合電磁耦合緊湊型SIW濾波器，其特征在于：包括層疊設(shè)置的三層基片集成波導(dǎo)腔體，在每層所述基片集成波導(dǎo)腔體的中心位置皆設(shè)置有金屬柱，在每層所述基片集成波導(dǎo)腔體的上下方皆層疊有金屬層，在最上層和最下層的金屬層上皆設(shè)置有作為輸入或輸出的共面波導(dǎo)形式的饋線，且兩個(gè)共面波導(dǎo)形式的饋線在水平向上相對設(shè)置；在最上方的所述基片集成波導(dǎo)腔體與中間的所述基片集成波導(dǎo)腔體之間的金屬層上設(shè)置有在腔體中心位置以中心線為對稱軸呈對稱設(shè)置的兩個(gè)梯形耦合窗；在最下方的所述基片集成波導(dǎo)腔體與中間的所述基片集成波導(dǎo)腔體之間的金屬層上亦設(shè)置有在腔體中心位置以中心線為對稱軸呈對稱設(shè)置的兩個(gè)梯形耦合窗；兩個(gè)金屬層上的梯形耦合窗的對稱軸在空間位置上呈十字交叉。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于消逝模加載的混合電磁耦合緊湊型SIW濾波器，其特征在于：每一層上的所述金屬柱高度略小于該層基片集成波導(dǎo)腔體的厚度。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于消逝模加載的混合電磁耦合緊湊型SIW濾波器，其特征在于：單層的所述基片集成波導(dǎo)腔體的寬度為6mm、長度為7.3mm、厚度為0.4mm，所述金屬柱的直徑為0.4mm，高度為0.36mm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于消逝模加載的混合電磁耦合緊湊型SIW濾波器，其特征在于：所述基片集成波導(dǎo)腔體由基片集成波導(dǎo)腔體所在基板邊沿豎直設(shè)置的邊緣金屬柱圍合而成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于消逝模加載的混合電磁耦合緊湊型SIW濾波器，其特征在于：最上方的所述基片集成波導(dǎo)腔體與中間的所述基片集成波導(dǎo)腔體之間的金屬層上兩個(gè)梯形耦合窗的尺寸大小為：上底0.5mm、下底1.1mm、高0.4mm，最下方的所述基片集成波導(dǎo)腔體與中間的所述基片集成波導(dǎo)腔體之間的金屬層上兩個(gè)梯形耦合窗的尺寸大小為：上底0.5mm、下底0.8mm、高1.3mm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于消逝模加載的混合電磁耦合緊湊型SIW濾波器，其特征在于：任一金屬層上的兩個(gè)梯形耦合窗通過底邊進(jìn)行對稱設(shè)置。

7.根據(jù)權(quán)利要求1~6任一項(xiàng)所述的基于消逝模加載的混合電磁耦合緊湊型SIW濾波器，其特征在于：所述基片集成波導(dǎo)腔體的基板材料采用相對介電常數(shù)為13.3的ULF-140陶瓷材料。