[發(fā)明專利]一種MOCVD設備清潔方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010624201.4 | 申請日： | 2020-06-30 |
| 公開（公告）號： | CN111593327B | 公開（公告）日： | 2022-08-19 |
| 發(fā)明（設計）人： | 楊國文;趙勇明;張雨;趙衛(wèi)東 | 申請（專利權）人： | 度亙激光技術(蘇州)有限公司 |
| 主分類號： | C23C16/44 | 分類號： | C23C16/44;C23C16/458 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 鐘揚飛 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 mocvd 設備 清潔 方法 | ||
1.一種MOCVD設備清潔方法，其特征在于，包括：
將待處理的石墨件置于MOCVD設備的反應室中，持續(xù)通入氫氣；
升高所述反應室的溫度至目標溫度；所述目標溫度的范圍為650℃至850℃；
通入流量為100-1000sccm的第一腐蝕氣體，進行第一次腐蝕；
當所述第一次腐蝕的腐蝕深度達到第一目標深度的五分之四時，將所述第一腐蝕氣體的流量減小一半；
當所述第一次腐蝕的腐蝕深度達到所述第一目標深度時，停止通入所述第一腐蝕氣體，在具有氫氣的環(huán)境下進行第一次烘烤；
通入流量為100-600sccm的第二腐蝕氣體，進行二次腐蝕；
當所述二次腐蝕的腐蝕深度達到第二目標深度時，停止通入所述第二腐蝕氣體，通入砷烷進行二次烘烤；其中所述第二目標深度與所述第一目標深度的比值范圍為五分之一至四分之一，所述第一目標深度與所述第二目標深度之和等于所述石墨件上的沉積物的厚度；
當達到預設條件時，停止加熱，停止通入砷烷；
其中，所述第一腐蝕氣體的腐蝕速率大于所述第二腐蝕氣體的腐蝕速率；所述第一腐蝕氣體為氯化氫或氯氣；所述第二腐蝕氣體為CBr4或CCl4。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一次烘烤的時長范圍為10分鐘至60分鐘。
3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述二次烘烤的時長范圍為10分鐘至300分鐘。
4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，通過原位監(jiān)測獲取所述腐蝕深度。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
