[發明專利]一種襯底處理方法在審
| 申請號： | 202010624195.2 | 申請日： | 2020-06-30 |
| 公開（公告）號： | CN111710606A | 公開（公告）日： | 2020-09-25 |
| 發明（設計）人： | 楊國文;趙勇明;張雨;趙衛東 | 申請（專利權）人： | 度亙激光技術(蘇州)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/324 | 分類號： | H01L21/324;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 唐菲 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州市工業園區*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 襯底 處理 方法 | ||
1.一種襯底處理方法，其特征在于，包括：
提供半導體襯底置于反應室中；
通入保護氣體，在第一預設溫度下，對所述半導體襯底進行烘烤；
通入刻蝕氣體，刻蝕所述半導體襯底表面的氧化層；
停止通入所述刻蝕氣體，通入所述保護氣體持續1-30分鐘。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述通入保護氣體，在第一預設溫度下，對所述半導體襯底進行烘烤，包括：
升高所述反應室的溫度；
所述反應室的溫度達到第二預設溫度時，通入所述保護氣體；
繼續升高所述反應室的溫度到第一預設溫度，烘烤2至30分鐘。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一預設溫度的范圍為600℃至850℃，所述第二預設溫度的范圍為300℃至550℃。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導體襯底為InP襯底，所述保護氣體包括磷烷和氫氣。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導體襯底為GaAs襯底，所述保護氣體包括砷源和氫氣。
6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述砷源為As、AsH3、TBAs中的一種或多種。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蝕氣體為CBr4、CCl4、氯氣、氯化氫中的一種或多種。
8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蝕氣體的流量為10sccm至1000sccm，純度為10％至100％。
9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蝕氣體的刻蝕速率為0.5nm/min至500nm/min。
10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述反應室內的壓力為30毫巴至1000毫巴。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
