[發明專利]一種容性耦合結構及濾波器

在審

• 申請號: 202010623804.2
• 申請日: 2020-06-30
• 公開（公告）號: CN111628259A
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發明（設計）人: 何進軍;韋俊杰;陳鵬
• 申請（專利權）人: 重慶思睿創瓷電科技有限公司
• 主分類號: H01P5/00
• 分類號: H01P5/00;H01P1/212;H01P1/20
• 代理公司: 重慶強大凱創專利代理事務所(普通合伙) 50217
• 代理人: 蒙捷

本發明涉及通信設備組件的技術領域，具體為一種容性耦合結構及濾波器，一種容性耦合結構，包括與多個相鄰且不連接的諧振器相連的中間部，中間部包括用于連接諧振器的連接塊，以及用于隔離諧振器的隔離腔，與同一中間部連接的兩諧振器的電場方向不同。一種濾波器，包括多個諧振器，多個諧振器之間至少使用一個上述容性耦合結構，所述容性耦合結構使得其連接的諧振器間產生容性負耦合。采用本方案的容性耦合結構及濾波器能夠解決現有技術中采用深加載的頻率調試盲孔實現容性負耦合導致諧振極點產生的技術問題，通過容性耦合結構實現容性負耦合，消除低頻率的諧振極點，避免帶外抑制幅度過高。

技術領域

本發明涉及通信設備組件的技術領域，具體為一種容性耦合結構及濾波器。

背景技術

隨著無線基站通信技術的不斷發展，對于濾波器的綜合性能及體積提出新的要求，而介質波導濾波器在綜合性能以及體積方面體現出其充分的優勢。隨著多頻系統的發展，對濾波器的頻率選擇特性和帶外抑制特性的要求也越來越高，而引入容性耦合是提高濾波器的頻率選擇特性和帶外抑制特性的方法之一。

目前在介質波導濾波器中實現容性負耦合的方式通常是設置深盲孔負耦合結構，通過深盲孔負耦合結構加載耦合頻率，從而實現容性負耦合。例如，現有的一種介質波導濾波器，其介質本體包括兩個諧振器，其介質本體在兩諧振器的中間位置開設有一個容性負耦合孔，且容性負耦合孔的深度至少大于介質本體厚度的二分一。通過對兩個諧振器的電場進行壓縮，改變其傳輸路徑，且離諧振器底面非常近，從而形成電容效應負耦合。但是上述介質波導濾波器的本質為設置一個深加載的頻率調試盲孔，其在介質波導濾波器通帶低端位置必然產生諧振極點，在介質波導濾波器零點位置確定的前提下，該諧振極點的位置一般不能隨意調整，導致帶外抑制幅度過高，難以滿足無線通信系統的高抑制要求。

發明內容

本發明意在提供一種容性耦合結構及濾波器，以解決現有技術中采用深加載的頻率調試盲孔實現容性負耦合導致諧振極點產生的技術問題。

本發明提供基礎方案之一是：一種容性耦合結構，包括與多個相鄰且不連接的諧振器相連的中間部，中間部包括用于連接諧振器的連接塊，以及用于隔離諧振器的隔離腔，與同一中間部連接的兩諧振器的電場方向不同。

基礎方案的有益效果是：中間部的設置，實現兩諧振器的連接和耦合，構建傳輸路徑。隔離部的設置，把兩諧振器的強電磁場分隔開，只保留電磁場弱的部分相互連接；由于中間電磁場強，邊沿電磁場弱，這樣的一體化結構使得諧振器間的耦合會非常弱，大大降低耦合帶寬。兩個諧振器通過中間部相連接，與同一中間部連接的兩諧振器的電場方向不同，由于電場方向的不同，通過不同諧振模式之間的轉換，形成容性交叉耦合，從而改變濾波器傳輸路徑的極性。本方案通過容性耦合結構實現容性負耦合，無需設置深加載的頻率調試盲孔，從而避免了因采用深加載的頻率調試盲孔實現容性負耦合導致通帶低端位置產生諧振極點的問題。

進一步，所述連接塊包括與諧振器連接的耦合窗口，以及與隔離腔連接的隔離側，所述隔離側覆有導電屏蔽層。有益效果：導電屏蔽層的設置，能夠屏蔽外界電磁能量的干擾，通過耦合窗口實現諧振器和中間塊的耦合，從而消除諧振器之間的串擾，并實現對遠端諧波的抑制能力進行改善。

進一步，所述連接塊為微波介質材料制成的部件。有益效果：微波介質材料的體積小、微波損耗低、頻率溫度系數小、介電常數高。

進一步，所述導電屏蔽層為金屬導電屏蔽層。有益效果：與常規導電屏蔽層相比，金屬導電屏蔽層的電磁屏蔽效果更好。

本發明提供基礎方案之二是：一種濾波器，包括多個諧振器，多個諧振器之間至少使用一個上述容性耦合結構。

基礎方案的有益效果是：使用了上述容性耦合結構，實現了容性負耦合，無需設置深加載的頻率調試盲孔，從而消除了因采用深加載的頻率調試盲孔實現容性負耦合產生的低頻率諧振極點。同時結構簡單，容性耦合結構的設置便于安裝和調試。