[發(fā)明專利]一種小中心距焦平面探測(cè)器的銦球陣列制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010623570.1 | 申請(qǐng)日： | 2020-07-01 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN111739806A | 公開（公告）日： | 2020-10-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 馬英杰;朱憲亮;邵秀梅;李雪 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/48 | 分類號(hào)： | H01L21/48;H01L23/488;H01L23/498;H01L31/101 |
| 代理公司： | 上海滬慧律師事務(wù)所 31311 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 中心 平面 探測(cè)器 陣列 制造 方法 | ||
1.一種小中心距焦平面探測(cè)器的銦球陣列制造方法，其特征在于包括以下步驟：
1)在芯片上涂布光刻膠，并在光刻膠上產(chǎn)生電極孔圖形；
2)依次蒸鍍鉻、鎳、金三層金屬；鉻層厚度為20-100nm，鎳層厚度為200-600nm，金層厚度為50-100nm；
3)去除光刻膠，產(chǎn)生金屬電極；
4)沉積介質(zhì)膜層，介質(zhì)膜層是氮化硅或氧化硅，膜厚為100-1000nm；
5)涂布光刻膠，并在光刻膠上產(chǎn)生接觸孔圖形；接觸孔圖形與金屬電極對(duì)準(zhǔn)，接觸孔尺寸小于金屬電極尺寸，形狀為方形、圓形或多邊形；
6)刻蝕去除孔內(nèi)介質(zhì)膜，并去除光刻膠；介質(zhì)膜刻蝕采用等離子體干法刻蝕或氫氟酸溶液濕法腐蝕；
7)涂布光刻膠，并在光刻膠上產(chǎn)生銦孔圖形；銦孔圖形與接觸電極孔對(duì)準(zhǔn)，尺寸大于金屬電極尺寸，小于焦平面中心距。形狀為方形、圓形或多邊形；
8)蒸鍍銦金屬；蒸鍍銦金屬的厚度小于步驟7)中涂布的光刻膠厚度；
9)去除光刻膠，產(chǎn)生銦柱陣列；
10)熱回流處理，產(chǎn)生銦球陣列，銦柱熱回流工藝氣氛為甲酸，工藝溫度為200-250度。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
