[發(fā)明專(zhuān)利]一種電容誤差測(cè)量電路、測(cè)量方法、芯片以及家用電器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010623426.8 | 申請(qǐng)日: | 2020-06-30 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111983328B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-05-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 林建清 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 上海美仁半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G01R27/26 | 分類(lèi)號(hào): | G01R27/26 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 瞿璨 |
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| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 電容 誤差 測(cè)量 電路 測(cè)量方法 芯片 以及 家用電器 | ||
1.一種電容誤差測(cè)量方法,其特征在于,所述方法包括:
確定待測(cè)電容Cx;
提供參考信號(hào)至至少一個(gè)第一電容,輸出校正信號(hào)至校正信號(hào)線(xiàn),所述至少一個(gè)第一電容包括所述待測(cè)電容;
改變第二電容矩陣的總電容值,調(diào)節(jié)所述校正信號(hào),在調(diào)節(jié)過(guò)程中檢測(cè)并確認(rèn)比較器的輸出信號(hào)反轉(zhuǎn),記錄所述第二電容矩陣的總電容值;
根據(jù)記錄的所述總電容值確定所述待測(cè)電容的誤差;
所述改變第二電容矩陣的總電容值,調(diào)節(jié)所述校正信號(hào),包括:
檢測(cè)并確認(rèn)C0、C1…Cx-1與第一參考信號(hào)線(xiàn)連通,Cx與第二參考信號(hào)線(xiàn)連通,遞增調(diào)節(jié)所述第二電容矩陣的總電容值,在調(diào)節(jié)過(guò)程中,檢測(cè)并確認(rèn)比較器的輸出信號(hào)反轉(zhuǎn),記錄第一總電容值;
檢測(cè)并確認(rèn)C0、C1…Cx-1與所述第一參考信號(hào)線(xiàn)連通,Cx與所述第二參考信號(hào)線(xiàn)連通,遞減調(diào)節(jié)所述第二電容矩陣的總電容值,在調(diào)節(jié)過(guò)程中,檢測(cè)并確認(rèn)比較器的輸出信號(hào)反轉(zhuǎn),記錄第二總電容值;
檢測(cè)并確認(rèn)C0、C1…Cx-1與所述第二參考信號(hào)線(xiàn)連通,Cx與所述第一參考信號(hào)線(xiàn)連通,遞增調(diào)節(jié)所述第二電容矩陣的總電容值,在調(diào)節(jié)過(guò)程中,檢測(cè)并確認(rèn)比較器的輸出信號(hào)反轉(zhuǎn),記錄第三總電容值;
檢測(cè)并確認(rèn)C0、C1…Cx-1與所述第二參考信號(hào)線(xiàn)連通,Cx與所述第一參考信號(hào)線(xiàn)連通,遞減調(diào)節(jié)所述第二電容矩陣的總電容值,在調(diào)節(jié)過(guò)程中,檢測(cè)并確認(rèn)比較器的輸出信號(hào)反轉(zhuǎn),記錄第四總電容值;
所述根據(jù)記錄的所述總電容值確定所述待測(cè)電容的誤差,包括:
將所述第一總電容值、所述第二總電容值的差的二分之一作為第一分量,將所述第三總電容值、所述第四總電容值的差的二分之一作為第二分量,計(jì)算所述第一分量和所述第二分量的平均值作為所述待測(cè)電容的誤差。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,
所述改變第二電容矩陣的總電容值,調(diào)節(jié)所述校正信號(hào),包括:
改變所述第二電容矩陣中多個(gè)第二電容中,被配置為接收所述參考信號(hào)的第二電容的數(shù)量,對(duì)所述校正信號(hào)進(jìn)行調(diào)節(jié)。
3.一種電容誤差測(cè)量電路,用于實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求1-2所述的電容誤差測(cè)量方法,其特征在于,所述電容誤差測(cè)量電路包括:
比較器,所述比較器的第一輸入端被配置為輸入模擬信號(hào),所述比較器的第二輸入端連接校正信號(hào)線(xiàn),被配置為輸入校正信號(hào);
第一電容矩陣,所述第一電容矩陣包括多個(gè)第一電容,所述多個(gè)第一電容的一端連接所述校正信號(hào)線(xiàn),至少一個(gè)所述第一電容的另一端被配置為接收參考信號(hào),輸入校正信號(hào)至所述校正信號(hào)線(xiàn),所述至少一個(gè)所述第一電容包括待測(cè)電容;
第二電容矩陣,所述第二電容矩陣的一端連接所述校正信號(hào)線(xiàn),所述第二電容矩陣的另一端被配置為接收所述參考信號(hào),所述第二電容矩陣被配置為改變所述第二電容矩陣的總電容值,調(diào)節(jié)所述校正信號(hào);
控制器,連接所述比較器的輸出端和所述第二電容矩陣,被配置為確定所述比較器的輸出信號(hào)反轉(zhuǎn)時(shí)所述第二電容矩陣的總電容值,根據(jù)所述總電容值確定所述待測(cè)電容的誤差。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電容誤差測(cè)量電路,其特征在于,
所述第二電容矩陣包括多個(gè)第二電容,所述多個(gè)第二電容的一端連接所述校正信號(hào)線(xiàn),所述第二電容矩陣被配置為根據(jù)所述多個(gè)第二電容中,被配置為接收所述參考信號(hào)的第二電容的數(shù)量,確定所述第二電容矩陣的總電容值。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電容誤差測(cè)量電路,其特征在于,
所述第一電容矩陣中的多個(gè)電容按照電容值從第一初始電容值遞增分布,所述第二電容矩陣中的多個(gè)電容按照電容值從第二初始電容值遞增分布,所述第一初始電容值大于所述第二初始電容值。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電容誤差測(cè)量電路,其特征在于,
所述第二電容矩陣包括5個(gè)電容,所述5個(gè)電容的電容值分別為8C0、4C0、2C0、C0、0.5C0;其中,C0為第一初始電容值。
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G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R27-00 測(cè)量電阻、電抗、阻抗或其派生特性的裝置
G01R27-02 .電阻、電抗、阻抗或其派生的其他兩端特性,例如時(shí)間常數(shù)的實(shí)值或復(fù)值測(cè)量
G01R27-28 .衰減、增益、相移或四端網(wǎng)絡(luò),即雙端對(duì)網(wǎng)絡(luò)的派生特性的測(cè)量;瞬態(tài)響應(yīng)的測(cè)量
G01R27-30 ..具有記錄特性值的設(shè)備,例如通過(guò)繪制尼奎斯特
G01R27-32 ..在具有分布參數(shù)的電路中的測(cè)量
G01R27-04 ..在具有分布常數(shù)的電路中的測(cè)量
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