[發明專利]電吸收光調制器及其制造方法

在審

• 申請號: 202010623368.9
• 申請日: 2020-06-30
• 公開（公告）號: CN112398004A
• 公開（公告）日: 2021-02-23
• 發明（設計）人: 中村厚;北谷健;岡本薰;早川茂則
• 申請（專利權）人: 朗美通日本株式會社
• 主分類號: H01S5/343
• 分類號: H01S5/343;H01S5/323
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王蕊瑞

1.一種電吸收光調制器，包括：

由多個層構成的多量子阱，所述多個層包括交替堆疊的多個量子阱層和多個勢壘層，

所述多個量子阱層和所述多個勢壘層包括受體和供體；

與所述多個層中的最上層接觸的p型半導體層；以及

與所述多個層中的最下層接觸的n型半導體層，

所述多量子阱的p型載流子濃度為所述p型半導體層的p型載流子濃度的10％至150％，并且

在所述多量子阱中，與所述p型載流子濃度與所述n型載流子濃度之差對應的有效載流子濃度為所述多量子阱的p型載流子濃度的±10％或更低。

2.根據權利要求1所述的電吸收光調制器，其中，所述p型半導體層和所述n型半導體層被配置為形成分離限制異質結構。

3.根據權利要求1所述的電吸收光調制器，其中，所述最上層和所述最下層中的每一個對應于所述多個勢壘層中的一個。

4.根據權利要求1所述的電吸收光調制器，其中，所述p型載流子濃度和所述n型載流子濃度中的每一個為1×10¹⁷cm^-3或更高。

5.根據權利要求1所述的電吸收光調制器，其中，在所述多量子阱中，所述p型載流子濃度高于所述n型載流子濃度。

6.根據權利要求1所述的電吸收光調制器，其中，在所述多量子阱中，所述p型載流子濃度低于所述n型載流子濃度。

7.根據權利要求1所述的電吸收光調制器，其中，所述受體是Zn或Mg中的至少一個。

8.根據權利要求1所述的電吸收光調制器，其中，所述供體是Si。

9.根據權利要求1所述的電吸收光調制器，其中，所述p型半導體層的受體與所述多量子阱的受體的材料相同。

10.根據權利要求1所述的電吸收光調制器，其中，所述n型半導體層的供體與所述多量子阱的供體的材料相同。

11.根據權利要求1所述的電吸收光調制器，其中，所述多量子阱的p型載流子濃度低于所述p型半導體層的p型載流子濃度。

12.根據權利要求1所述的電吸收光調制器，其中，所述多量子阱的n型載流子濃度低于所述n型半導體層的n型載流子濃度。

13.根據權利要求1所述的電吸收光調制器，其中，隨著層越靠近所述p型半導體層，所述多個層的p型載流子濃度和n型載流子濃度越高。

14.一種電吸收光調制器的制造方法，包括：

形成n型半導體層；

形成由多個層構成的多量子阱，所述多個層包括交替堆疊的多個量子阱層和多個勢壘層，

所述多個量子阱層和所述多個勢壘層包括受體和供體，且

所述多個層中的最下層放置為與所述n型半導體層接觸；以及

通過金屬有機化學氣相沉積形成p型半導體層，以放置為與所述多個層中的最上層接觸，

所述多量子阱的p型載流子濃度為所述p型半導體層的p型載流子濃度的10％至150％，且

在所述多量子阱中，與所述p型載流子濃度與n型載流子濃度之差對應的有效載流子濃度為所述多量子阱的p型載流子濃度的±10％或更低。

15.根據權利要求14所述的制造方法，其中，所述多量子阱由金屬有機化學氣相沉積形成。

16.根據權利要求14所述的制造方法，其中，所述p型半導體層和所述n型半導體層被配置為形成分離限制異質結構。