[發明專利]集成電路、集成電路的電容器陣列以及用于制造集成電路的方法在審
| 申請號: | 202010622833.7 | 申請日: | 2020-07-01 |
| 公開(公告)號: | CN112185962A | 公開(公告)日: | 2021-01-05 |
| 發明(設計)人: | K·K·穆圖克里希南;A·J·斯赫林斯凱 | 申請(專利權)人: | 美光科技公司 |
| 主分類號: | H01L27/108 | 分類號: | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 王龍 |
| 地址: | 美國愛*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 集成電路 電容器 陣列 以及 用于 制造 方法 | ||
1.一種集成電路,其包括:
多個水平排列成二維2D網格的特征;
所述2D網格包括平行四邊形單位單元,所述平行四邊形單位單元具有四個網格點并且在成對的所述四個網格點之間具有四個直線側邊,所述平行四邊形單位單元具有橫跨在所述四個網格點中的兩個對角線上對置的網格點之間的直線對角線,所述直線對角線比所述四個直線側邊中的每一個都要長;且
所述各個特征處于所述四個網格點中的一個處并且沿著相對于所述四個直線側邊中的每一個水平地成角度的方向占據水平拉長的最大水平區域。
2.根據權利要求1所述的集成電路,其中所述方向平行于或沿著所述直線對角線。
3.根據權利要求1所述的集成電路,其中所述方向與以下兩者成角度:a)所述四個直線側邊中的每一個,和b)所述平行四邊形單位單元的所有直線對角線。
4.根據權利要求1所述的集成電路,其中所述直線對角線是較長直線對角線,所述平行四邊形單位單元包括橫跨在所述四個網格點中的另兩個對角線上對置的網格點之間的較短直線對角線。
5.根據權利要求1所述的集成電路,其中所述最大水平區域各自的橫向中心處于其相應一個網格點上。
6.根據權利要求1所述的集成電路,其中所述最大水平區域各自的縱向中心處于其相應一個網格點上。
8.根據權利要求1所述的集成電路,其中所述最大水平區域各自的中心不處于其相應一個網格點上。
9.根據權利要求8所述的集成電路,其中所述最大水平區域各自的中心以正交于所述直線對角線的方式從其相應一個網格點偏移。
10.根據權利要求9所述的集成電路,其中所述方向平行于所述直線對角線。
11.根據權利要求8所述的集成電路,其中所述最大水平區域各自的中心沿著所述方向從其相應一個網格點偏移。
12.根據權利要求11所述的集成電路,其中所述方向沿著所述直線對角線。
13.根據權利要求1所述的集成電路,其中所述各個特征在所述集成電路中具電路操作性。
14.根據權利要求13所述的集成電路,其中所述各個特征包括電容器的電容器電極。
15.根據權利要求1所述的集成電路,其中所述各個特征在所述集成電路中不具電路操作性。
16.根據權利要求15所述的集成電路,其中所述各個特征包括絕緣材料。
17.根據權利要求1所述的集成電路,其中所述2D網格是正方形。
18.根據權利要求1所述的集成電路,其中所述2D網格是矩形。
19.根據權利要求1所述的集成電路,其中所述四個直線側邊中任一個都不會與所述四個直線側邊中的另一個90°相交。
20.根據權利要求19所述的集成電路,其中所述2D網格是傾斜的。
21.根據權利要求1所述的集成電路,其中所述2D網格是布拉維網格。
22.根據權利要求1所述的集成電路,其中所述平行四邊形單位單元僅具有四個網格點。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





