[發明專利]電源開關狀態檢測電路

有效

• 申請號: 202010622313.6
• 申請日: 2020-06-30
• 公開（公告）號: CN111650530B
• 公開（公告）日: 2022-06-21
• 發明（設計）人: 夏虎;劉桂芝;何云;崔鳳敏
• 申請（專利權）人: 上海南麟電子股份有限公司
• 主分類號: G01R31/40
• 分類號: G01R31/40;G01R31/327
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種電源開關狀態檢測電路，其特征在于，包括：第一PMOS管、第二PMOS管、比較器、電阻、電流源和參考電壓源；

所述第一PMOS管的柵極與所述第二PMOS管的柵極共同連接所述第二PMOS管的漏極，所述第二PMOS管的漏極連接所述電流源；

所述第一PMOS管的漏極連接于所述電阻的一端，所述電阻的另一端接地；

所述比較器具有第一信號輸入端、第二信號輸入端和信號輸出端；所述第一信號輸入端連接所述第一PMOS管的漏極與所述電阻的連接點，所述第二信號輸入端連接參考電壓源；

所述第一PMOS管的源極連接所述電源開關狀態檢測電路的檢測端；所述第二PMOS管的源極連接所述電源開關狀態檢測電路的電源端；

其中，所述電源開關狀態檢測電路用于對開關電源電路中的電源開關的狀態進行檢測并輸出邏輯信號；

所述開關電源電路包括第一電源、第二電源、第一電源開關、第二電源開關、第一二極管、第二二極管和負載；所述第一電源開關的一端連接于所述第一電源，所述第一電源開關的另一端連接于所述第一二極管的陽極；所述第二電源開關的一端連接于所述第二電源，所述第二電源開關的另一端連接于所述第二二極管的陽極；所述第一二極管和所述第二二極管的陰極共同連接于所述負載；

所述電源開關狀態檢測電路的檢測端連接所述第二電源開關和所述第二二極管的連接點；所述電源開關狀態檢測電路的電源端連接所述第二二極管和所述負載的連接點；

其中，當所述第一電源開關斷開、所述第二電源開關導通時，所述電阻的阻值R₁、通過所述第一PMOS管的電流值I_d1以及所述參考電壓源的電壓值V_r的關系為：I_d1×R₁V_r，

當所述第一電源開關導通、所述第二電源開關斷開時，所述電阻的阻值R₁、通過所述第一PMOS管的電流值I_d1以及所述參考電壓源的電壓值V_r的關系為：I_d1×R₁V_r。

2.根據權利要求1所述的電源開關狀態檢測電路，其特征在于，所述第一二極管和所述第二二極管為防反接二極管。

3.根據權利要求1所述的電源開關狀態檢測電路，其特征在于，所述第二二極管導通時，陽極和陰極的電壓差為0.7V；所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的閾值電壓相等；當所述第一電源開關斷開、所述第二電源開關導通時，通過所述第一PMOS管的電流值I_d1滿足下式：

其中，K_p為集成電路工藝參數值，為所述第一PMOS管的器件寬長比值，V_gs1為所述第一PMOS管的柵源電壓，V_gs2為所述第二PMOS管的柵源電壓，V_thp為所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的閾值電壓。

4.根據權利要求1所述的電源開關狀態檢測電路，其特征在于，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的閾值電壓相等；當所述第一電源開關導通、所述第二電源開關斷開時，所述電流源的電流值I_r滿足下式：

其中，K_p為集成電路工藝參數值，為所述第一PMOS管的器件寬長比值，V_gs2為所述第二PMOS管的柵源電壓，V_thp為所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的閾值電壓。

5.根據權利要求1所述的電源開關狀態檢測電路，其特征在于，當所述第一電源開關導通、所述第二電源開關斷開時，所述比較器的輸出信號為低的邏輯信號；當所述第一電源開關斷開、所述第二電源開關導通時，所述比較器的輸出信號為高的邏輯信號。

6.根據權利要求1所述的電源開關狀態檢測電路，其特征在于，所述比較器還包括用于接受供電的比較器電源端。

7.根據權利要求6所述的電源開關狀態檢測電路，其特征在于，所述比較器電源端連接所述電源開關狀態檢測電路的電源端。