[發明專利]顯示基板及其制備方法、顯示面板有效
| 申請號: | 202010621894.1 | 申請日: | 2020-07-01 |
| 公開(公告)號: | CN111739896B | 公開(公告)日: | 2023-08-18 |
| 發明(設計)人: | 王哲;鄧立廣;華剛;李少波;王敏;龔猛;胡錦堂;樊鵬凱;王冬 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/167;G02F1/1676 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 及其 制備 方法 面板 | ||
本發明提供一種顯示基板及其制備方法、顯示面板,屬于顯示技術領域。本發明的一種顯示基板,包括:基底,設置于基底上的薄膜晶體管、設置于薄膜晶體管背離基底一側的鈍化層,設置于鈍化層背離基底一側的平坦化層,以及設置于平坦化層背離基底一側的像素電極;顯示基板還包括:第一導電圖案,設置于鈍化層靠近基底一側;第二導電圖案,設置于平坦化層與像素電極之間;平坦化層和鈍化層中設置有第一過孔,第二導電圖案通過第一過孔與第一導電圖案連接;層間介電層,設置于第二導電圖案與像素電極之間;像素電極與層間介電層以及第二導電圖案構成第一電容;其中,單位厚度的層間介電層的介電常數大于平坦化層的介電常數。
技術領域
本發明屬于顯示技術領域,具體涉及一種顯示基板及其制備方法、顯示面板。
背景技術
現有的電子紙顯示技術,尤其是電紙書等戶外場景產品,在產品的像素分辨率較高時,受限于像素節距較小,單個像素單元的可分配面積較小,存儲電容(Cst)的電容值設計上限有限,難以滿足客戶對存儲電容的高電容值的要求。
現有技術中,常用的技術方案為采用雙層Cst設計,以增加Cst的設計上限。具體的,如圖1所示,現有的陣列基板中,基底上通常包括:像素電極、薄膜晶體管、以及鈍化層、平坦化層等結構。其中,像素電極位于陣列基板的最頂層,其通過過孔與薄膜晶體管連接;同時,基底上還設置有與薄膜晶體管的源漏電極同層設置的第一導電圖案和與薄膜晶體管的柵極同層設置的第三導電圖案。其中,第一導電圖案與其上方對應位置的鈍化層、平坦化層以及像素電極構成上電容(第一電容);同時,第一導電圖案與其下方對應位置的、柵絕緣層、第三導電圖案構成下電容(第二電容)。同時,像素電極通過過孔與第三導電圖案連接,從而形成并聯的兩個存儲電容,增大顯示基板中存儲電容的電容值。
但是,發明人發現,現有的顯示基板中的上電容的電容值較小,并聯后的雙電容結構仍不能完全滿足客戶的需求。
發明內容
本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一,提供一種能夠增大存儲電容的顯示基板。
解決本發明技術問題所采用的技術方案是一種顯示基板,包括:基底,設置于所述基底上的薄膜晶體管、設置于所述薄膜晶體管背離基底一側的鈍化層,設置于所述鈍化層背離基底一側的平坦化層,以及設置于所述平坦化層背離基底一側的像素電極;所述顯示基板還包括:
第一導電圖案,設置于所述鈍化層靠近所述基底一側;
第二導電圖案,設置于所述平坦化層與所述像素電極之間;所述平坦化層和所述鈍化層中設置有第一過孔,第二導電圖案通過所述第一過孔與所述第一導電圖案連接;
層間介電層,設置于所述第二導電圖案與所述像素電極之間;
所述像素電極與所述層間介電層以及所述第二導電圖案構成第一電容;
其中,單位厚度的所述第三絕緣層的介電常數大于所述平坦化層的介電常數。
可選的,所述第一導電圖案與所述薄膜晶體管的源極和/或漏極同層設置。
進一步可選的,所述第二導電圖案和所述像素電極在所述基底上的正投影覆蓋所述第一導電圖案在所述基底上的正投影。
可選的,所述第二導電圖案的材料包括遮光材料。
可選的,所述顯示基板還包括:
第三導電圖案,其設置于所述第一導電圖案靠近所述基底的一側;
第一絕緣層,其設置于所述第一導電圖案與所述第二導電圖案之間;
所述第一絕緣層上具有第二過孔,所述像素電極通過所述第二過孔與所述第三導電圖案連接;
所述第三導電圖案與所述第一絕緣層以及所述第一導電圖案構成第二電容。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





