[發(fā)明專利]一種用于單晶生產爐的熱屏結構及單晶生產爐

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010621640.X
• 申請日: 2020-07-01
• 公開（公告）號: CN111763985B
• 公開（公告）日: 2021-10-19
• 發(fā)明（設計）人: 薛忠營;魏濤;魏星;栗展;劉赟;李名浩
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所;上海新昇半導體科技有限公司
• 主分類號: C30B15/00
• 分類號: C30B15/00;C30B29/06
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;賈允

1.一種用于單晶生產爐的熱屏結構，其特征在于，所述熱屏結構(8)用于設在所述單晶生長爐的熔體坩堝(6)上部，所述熱屏結構(8)包括外殼(2)、隔熱板(1)、內殼(3)和吸熱板(5)，所述隔熱板(1)設于所述外殼(2)的內部，所述外殼(2)底部外表面用于朝向所述熔體坩堝(6)內部，所述隔熱板(1)所在平面與所述外殼(2)底部所在平面形成的夾角為銳角且所述夾角朝向所述單晶硅(7)的外表面，所述內殼(3)設于所述外殼(2)的內部且設于所述外殼(2)的底部，所述內殼(3)設有空腔，所述隔熱板(1)設于所述空腔或設于所述內殼(3)與所述外殼(2)之間的空間，所述內殼(3)與所述外殼(2)之間空間填充有保溫材料(4)，所述吸熱板(5)設于所述內殼(3)的內部且設于所述內殼(3)的底部。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種用于單晶生產爐的熱屏結構，其特征在于，所述隔熱板(1)所在平面與所述吸熱板(5)所在平面形成的夾角范圍為大于0度且小于或等于30度。

3.根據(jù)權利要求1所述的一種用于單晶生產爐的熱屏結構，其特征在于，所述隔熱板(1)至少包括兩組隔熱膜組，所述隔熱膜組包括第一折射層(11)和第二折射層(12)，所述第一折射層(11)的折射率為第一折射率，所述第二折射層(12)的折射率為第二折射率，所述第一折射率與所述第二折射率不同。

4.根據(jù)權利要求3所述的一種用于單晶生產爐的熱屏結構，其特征在于，所述第一折射層(11)的材料為硅或鉬，所述第二折射層(12)的材料為石英。

5.根據(jù)權利要求1所述的一種用于單晶生產爐的熱屏結構，其特征在于，所述隔熱板(1)至少包括支撐層(13)和一組隔熱膜組，所述隔熱膜組包括第一折射層(11)和第二折射層(12)，所述第一折射層(11)的折射率為第一折射率，所述第二折射層(12)的折射率為第二折射率，所述第一折射率與所述第二折射率不同，所述支撐層(13)、所述第一折射層(11)與所述第二折射層(12)依次貼合連接。

6.根據(jù)權利要求5所述的一種用于單晶生產爐的熱屏結構，其特征在于，所述第一折射層(11)的材料為硅，所述第二折射層(12)的材料為石英或氮化硅，所述支撐層(13)的材料為硅。

7.根據(jù)權利要求1所述的一種用于單晶生產爐的熱屏結構，其特征在于，所述外殼(2)及所述內殼(3)的殼體均為可拆裝結構。

8.一種單晶生產爐，其特征在于，所述單晶生長爐包括：

爐體，包括爐體壁以及腔體，所述腔體由所述爐體壁所包圍；

熔體坩堝(6)，設置于所述腔體內，用于承載熔體；

加熱器，設置所述腔體內且分布于所述熔體坩堝(6)外周，用以提供所述熔體坩堝(6)的熱場；

以及如權利要求1-7任一項所述的一種用于單晶生產爐的熱屏結構，所述外殼(2)底部外表面朝向所述熔體坩堝(6)內部。