[發明專利]一種低壓化學氣相淀積法淀積兩層鎢硅的方法

在審

• 申請號: 202010621624.0
• 申請日: 2020-07-01
• 公開（公告）號: CN111593325A
• 公開（公告）日: 2020-08-28
• 發明（設計）人: 李博;折宇;陳寶忠
• 申請（專利權）人: 西安微電子技術研究所
• 主分類號: C23C16/42
• 分類號: C23C16/42;C23C16/455;H01L21/02
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 李紅霖

1.一種低壓化學氣相淀積法淀積兩層鎢硅的方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1，將待淀積的硅片傳入緩沖腔，待緩沖腔的真空度小于300mTorr后，再將待淀積的硅片傳入工藝腔中；

步驟2，在底壓小于100mTorr的工藝腔中通入WF₆、SiH₄和載氣，之后進行低壓化學氣相淀積反應，在待淀積的硅片上生成一層鎢硅，WF₆、SiH₄和載氣的體積比為(2～3)：(400～500)：(350～450)；

步驟3，將淀積有一層鎢硅的硅片傳入步驟1所述的緩沖腔中，待工藝腔完成自清潔工藝后，將淀積有一層鎢硅的硅片傳入工藝腔中按照步驟2進行第二次低壓化學氣相淀積反應，得到淀積有兩層鎢硅的硅片。

2.根據權利要求1所述的低壓化學氣相淀積法淀積兩層鎢硅的方法，其特征在于，步驟1先將待淀積的硅片放入機臺的載片臺上，之后使用傳輸手臂將待淀積的硅片從載片臺傳入緩沖腔。

3.根據權利要求1所述的低壓化學氣相淀積法淀積兩層鎢硅的方法，其特征在于，步驟2中，WF₆、SiH₄和載氣在0.45Torr～0.75Torr的壓力下反應。

4.根據權利要求3所述的低壓化學氣相淀積法淀積兩層鎢硅的方法，其特征在于，WF₆、SiH₄和載氣在所述的壓力下反應25s～120s。

5.根據權利要求1所述的低壓化學氣相淀積法淀積兩層鎢硅的方法，其特征在于，步驟2中所述的載氣為氬氣。

6.根據權利要求1所述的低壓化學氣相淀積法淀積兩層鎢硅的方法，其特征在于，步驟3中使用傳輸手臂將淀積有一層鎢硅的硅片傳入步驟1所述的緩沖腔中。

7.根據權利要求1所述的低壓化學氣相淀積法淀積兩層鎢硅的方法，其特征在于，步驟3得到的硅片中鎢硅的厚度為

8.根據權利要求1所述的低壓化學氣相淀積法淀積兩層鎢硅的方法，其特征在于，步驟3得到淀積有兩層鎢硅的硅片后，先將所述的硅片傳入緩沖腔中進行冷卻，之后對緩沖腔充保護氣體，待緩沖腔的壓力達到大氣壓后將該硅片傳至機臺的載片臺。

9.根據權利要求8所述的低壓化學氣相淀積法淀積兩層鎢硅的方法，其特征在于，所述的保護氣體為氮氣。

10.根據權利要求8所述的低壓化學氣相淀積法淀積兩層鎢硅的方法，其特征在于，將所述的硅片冷卻15s～30s。