[發明專利]一種太陽能電池及其制作方法

在審

• 申請號: 202010621529.0
• 申請日: 2020-06-30
• 公開（公告）號: CN113871494A
• 公開（公告）日: 2021-12-31
• 發明（設計）人: 李華;靳玉鵬
• 申請（專利權）人: 泰州隆基樂葉光伏科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18
• 代理公司: 北京知迪知識產權代理有限公司 11628
• 代理人: 周娟

本發明公開一種太陽能電池及其制作方法，涉及光伏技術領域，以簡化P型摻雜部的制作工藝同時，降低太陽能電池制作過程中背面共摻雜程度，提高制作良率。該太陽能電池的制作方法包括：提供一硅基底；在硅基底的背面形成第一硅膜；對第一硅膜的局部區域進行P型摻雜，獲得形成有P型摻雜部的第一硅膜；對形成有P型摻雜部的第一硅膜進行刻蝕，以去除第一硅膜除P型摻雜部外的區域，獲得第一凹槽；在硅基底的背面形成位于第一凹槽內的N型摻雜部；在P型摻雜部上形成第一電極，在N型摻雜部上形成第二電極。所述太陽能電池采用上述制作方法制作而成。本發明提供的太陽能電池的制作方法用于制作IBC電池等背結電池。

技術領域

本發明涉及光伏技術領域，尤其涉及一種太陽能電池及其制作方法。

背景技術

指交叉背接觸(Interdigitated back contact，縮寫為IBC)電池是一種正負兩極金屬接觸均位于電池片背面的背結電池，其朝向太陽的正面基本呈全黑色， 完全看不到多數光伏電池正面呈現的金屬線。這不僅為使用者帶來更多有效發 電面積，也有利于提升發電效率，外觀上也更加美觀。

在制作IBC電池時，需要在硅基底的背面進行磷、硼局部擴散，形成有指 狀交叉排列的P型摻雜部和N型摻雜部，接著在硅基底的背面形成覆蓋P型摻 雜部和N型摻雜部的鈍化層，并進行激光開槽和電極沉積，使得正極與P型摻 部接觸，負極與N型摻雜部接觸。由于所制作的IBC電池的正面沒有電極遮擋， 因此，IBC電池具有更高的短路電流Jsc，并且其背面還可以容許較寬的金屬柵 線來降低串聯電阻Rs從而提高填充因子FF。但是，在制作IBC電池的過程中， P型摻雜部和N型摻雜部的制作工藝比較復雜，在硅基底的背面分別進行局部 磷、硼擴散，容易出現硼磷共摻雜的問題，導致所制作的電池良率比較低。

發明內容

本發明的目的在于提供一種太陽能電池及其制作方法，以簡化P型摻雜部 的制作工藝同時，降低太陽能電池制作過程中背面共摻雜程度，提高制作良率。

第一方面，本發明提供一種太陽能電池的制作方法。該太陽能電池的制作 方法包括：提供一硅基底；在硅基底的背面形成第一硅膜；對第一硅膜的局部 區域進行P型摻雜，獲得形成有P型摻雜部的第一硅膜；對形成有P型摻雜部 的第一硅膜進行刻蝕，以去除第一硅膜除P型摻雜部外的區域，獲得第一凹槽； 在硅基底的背面形成位于第一凹槽內的N型摻雜部；在P型摻雜部上形成第一 電極，在N型摻雜部上形成第二電極。

本發明提供的太陽能電池的制作方法中，第一硅膜形成于硅基底的背面， 且對第一硅膜的的局部區域進行P型摻雜后，對形成有P型摻雜部的第一硅膜 進行刻蝕，以在第一硅膜除P型摻雜部外的區域形成第一凹槽。在此基礎上， 在硅基底的背面形成位于第一凹槽內的N型摻雜部由此可見，在制作太陽能電 池的過程中，先制作P型摻雜部，再制作N型摻雜部，并以此為基礎，并在P 型摻雜部上形成第一電極，在N型摻雜部上形成第二電極。此時，本發明提供 的太陽能電池的制作方法所制作的太陽能電池的電極均位于背面，正面沒有電 極，可以保證太陽能電池的正面沒有金屬電極遮擋的情況下，正常進行發電， 因此，本發明提供的太陽能電池的制作方法可以用于IBC電池制作中。并且， 由于先制作P型摻雜部，后制作N型摻雜部，使得在較高溫度下摻雜制作P型 摻雜部的后，在后續較低溫度制作N型摻雜部時，N型摻雜部所摻入的N型雜 質元素的橫向擴散效應比較小，因此，本發明提供的太陽能電池的制作方法可 以抑制IBC電池中硼磷共摻等共摻雜問題，提高產品良率。