[發明專利]防分層MIM電容及其制作方法在審
| 申請號： | 202010620714.8 | 申請日： | 2020-07-01 |
| 公開（公告）號： | CN111710658A | 公開（公告）日： | 2020-09-25 |
| 發明（設計）人： | 牛忠彩;楊宏旭;劉俊文 | 申請（專利權）人： | 華虹半導體（無錫）有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/522 | 分類號： | H01L23/522;H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴廣志 |
| 地址： | 214028 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 分層 mim 電容 及其 制作方法 | ||
1.一種防分層MIM電容，其特征在于，所述防分層MIM電容包括：由下至上依次層疊的第一導電層、介質層和第二導電層；
所述第一導電層設于半導體器件上，形成MIM電容的下極板；
所述第二導電層設于MIM電容區域位置處，形成所述MIM電容的上極板
所述介質層設于所述MIM電容區域位置處，包括位于中間的中間氮化硅介質薄膜層，和，位于所述中間氮化硅介質薄膜層上、下兩側的上層氧化薄膜層和下層氧化薄膜層；所述上層氧化薄膜層的上表面與所述第二導電層的下表面接觸，所述下層氧化薄膜層的下表面和所述第一導電層的上表面接觸。
2.如權利要求1所述的防分層MIM電容，其特征在于，所述中間氮化硅介質薄膜層的厚度為10A～1000A。
3.如權利要求1所述的防分層MIM電容，其特征在于，所述上層氧化薄膜層和下層氧化薄膜層的材料均采用二氧化硅。
4.如權利要求1所述的防分層MIM電容，其特征在于，所述上層氧化薄膜層和下層氧化薄膜層的厚度為10A～100A。
5.一種防分層MIM電容的制作方法，其特征在于，所述防分層MIM電容的制作方法包括：
提供半導體器件，在所述半導體器件上制作第一導電層；
在所述第一導電層上依次淀積下層氧化薄膜層、中間氮化硅介質薄膜層和上層氧化薄膜層；
在所述上層氧化薄膜層上制作第二導電層；
在所述第二導電層上，通過光刻膠定義出MIM電容區域圖形；
根據所述MIM電容區域圖形刻蝕第二導電層，形成MIM電容的上極板。
6.如權利要求5所述的防分層MIM電容的制作方法，其特征在于，所述在所述第一導電層上依次淀積下層氧化薄膜層、中間氮化硅介質薄膜層和上層氧化薄膜層的步驟包括：
采用化學氣相沉淀工藝在所述第一導電層上依次淀積下層氧化薄膜層、中間氮化硅介質薄膜層和上層氧化薄膜層。
7.如權利要求5所述的防分層MIM電容的制作方法，其特征在于，
以140A/min～180A/min的生長速率生長出折射率為1.45至1.53，厚度為10～100A，應力為0.8×108Pa～5×108Pa的下層氧化薄膜層和上層氧化薄膜層。
8.如權利要求5所述的防分層MIM電容的制作方法，其特征在于，以70A/min～100A/min的生長速率生長出折射率為1.99至2.10，厚度為10～1000A，應力為1×109Pa～3×109Pa的中間氮化硅介質薄膜層。
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